介质表面高功率微波击穿的数值模拟.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 0( 0 #%%’ 0 ， ， ， 1P9 /0( OP /0 .7Q #%%’ （ ） !%%%-)#’%K#%%’K0( %0 K)#4(-%4 L,ML *D3N+,L N+O+,L !#%%’ ,J8B / *JQ / NP: / 介质表面高功率微波击穿的数值模拟! ） ）） 蔡利兵! 王建国! # !）（西北核技术研究所，西安 $!%%# ） # ）（西安交通大学电子与信息工程学院，西安 $!%%’ ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） #%%( $ # #%%( ’ #) 研究了用于模拟高功率微波条件下介质表面击穿的静电*+,-.,, 模型，并通过自行编写的数值模拟程序模拟 了真空及不同气压条件下介质表面击穿过程中的次级电子倍增和气体电离等过程 模拟结果发现，在真空及低气 / 压条件下，电子的主要来源是次级电子倍增，电子数量以两倍于入射场的频率振荡；在高气压情况下，电子的主要 来源是气体电离/ 关键词：介质表面击穿，高功率微波，数值模拟，次级电子倍增 ： ， ， !## 0#(%1 )##%2 0#(%3 !C 引 言 由于高功率微波（ ）在工业和军事领域具有 D*. 重要的应用前景，许多国家都在大力发展 D*. 技 术/ D*. 得到应用的前提之一是提高发射馈源的功 率容量 目前， 朝着高功率或长脉冲的方向发 / D*. 展，随着功率的增长和脉冲宽度的增加， 更容 D*. 易引起馈源介质窗表面的击穿/ 介质表面的D*. 击 穿中包含很多基本的物理现象，如场致电子发射、次 图 介质表面高功率微波击穿模型 级电子发射、放气现象和气体击穿等，其击穿的具体 ! 步骤为：）场致发射提供种子电子；）次级电子发射 ! # 制等问题，通过采用一维静电 （ ）和 *+, G7H?8:9@-8B-:@99 雪崩和次级电子倍增快速增长达到饱和；）电子激 ［，］ ) 蒙特卡罗碰撞（ # ) .,, ）方法，简称 *+,-.,, 方法 ， 发放气或加热蒸发现象发生；）界面上发生释放气 引用17=IJ7B 提出的关于次级电子发射的经验公