不同温度下快速热退火对SiGe量子阱光致发光谱的影响.PDFVIP

　第 19 卷第 6 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 6　 V o l N o 　1998 年 6 月　　　　　　 　　　　　　 , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S June 不同温度下快速热退火对 SiGe 量子阱光致发光谱的影响 司俊杰　杨沁清　王红杰　雷红兵　滕　达　王启明 ( 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室　北京　100083) 刘学锋　　李建民 ( 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室　北京　100083) 摘要　本文对 生长的 量子阱结构用快速热退火( ) 方法进行处理, 研 GS M BE Si SiGe Si R TA 究了其在低温下的光致发光(PL ) 特性. 发现存在一个最佳退火温度范围, 使得 PL 谱的发光得 到改善. 随着退火温度的继续提高, PL 谱线发生兰移, 发光强度下降. 认为这种趋势是由内部 缺陷和位错以及 量子阱结构在退火过程中相应的变化所导致. 辅助的缺陷显微观 Si SiGe Si 察证实了我们的结论. : 6855, 3250 , 7820 PACC F N 1　引言 应变 异质结构材料近几年得到广泛地关注. 其量子结构利用能带工程方法来 SiGe Si 改变材料性质. 如 异质结双极晶体管( ) 实现了 基材料在高速器件上的应 SiGe Si HBT Si [ 1 ] [ 2 ] 用 ; 远红外探测器上开拓了 基材料在光电子领域中的应用 . 而对 量 SiGe Si Si SiGe Si [ 3 ] 子阱结构发光特性的研究, 则是针对硅基光电子集成这一重要研究领域 . 由于 在应变 层中的无序分布使得 层的无声子辅助( ) 光复合跃迁几率 Ge SiGe SiGe N P [ 4～ 6 ] 大大增加, 这方面已得到细致的研究 . 退火对材料质量的改善及对样品 PL 谱线的影响 也有报道. 如