多晶硅薄膜太阳能电池及其制备技术研究进展评述.docxVIP

多晶硅薄膜太阳能电池材料及其制备技术研究进展评述1前言1.1研究背景近年来，随着可持续发展，环境保护等观念的深入人心，以及常规化石能源的日渐枯竭，太阳能的光伏应用已给我们展示了非常广阔的前景。因此，可将太阳能转化为电能的太阳能电池的研制和发展，正日益引起关注硅太阳能电池是最有发展前景的。目前,晶体硅太阳电池因其丰富的原材料资源和成熟的生产工艺而成为太阳电池研发和产业化的主要方向,但大规模应用需要解决两大难题：提高光电转换效率和降低生产成本。工艺成熟的晶体硅太阳电池具有相对较高的转换效率, 但成本较高,硅晶体的尺寸也不能满足大面积的要求晶体硅太阳电池的硅材料占太阳电池成本的45%以上,大幅度降低晶体硅太阳电池成本非常困难。高效低成本的薄膜太阳电池代表了未来太阳电池工业的发展方向。薄膜化(或薄层化)是降低太阳能电池成本的主要手段和发展趋势[1]。非晶硅薄膜太阳电池虽在成本上具有一定优势, 但光疲劳效应严重制约了其发展。多晶硅薄膜电池是兼具单晶硅和多晶硅电池的高转换效率和长寿命以及非晶硅薄膜电池的材料制备工艺相对简单等优点的新一代电池。早在上世纪80年代，就有人提出了晶体硅薄膜太阳电池的设计思想，认为它是一种可大幅度减小太阳电池制造成本的有效途径[2]。但是由于种种原因，这种设想一直以来并未受到人们的重视。近年来随着人们在陷光技术、钝化技术以及载流子束缚等技术方面不断取得进展，多晶硅薄膜电池的研究日益受到人们的重视。世界各国的科学家对各种不同的方法制备的多晶硅薄膜及薄膜太阳电池进行了广泛而深入的研究。在不远的将来，多晶硅薄膜电池技术可望使太阳电池组件的成本降低, 从而使得光伏发电的成本能够与常规能源相竞争。1.2原理及存在问题目前晶体硅薄膜电池的晶粒大小从纳米直到毫米级都有，为了方便，光伏界将它们统称为多晶硅(polycrystalline Si)薄膜太阳电池。多晶硅薄膜是由许多大小不等、具有不同晶面取向的小晶粒构成的。晶粒与晶粒之间的区域称为晶界。晶界和晶粒的结构不同，它们的原子化学势也不同。晶界包含很多复合中心(悬挂键或杂质)，光致载流子在被结分开之前，如果碰到晶界，会导致电子和空穴的复合，从而降低电池效率。所以晶界对太阳电池性能的影响很大。在一定的生长条件下，晶粒有一种主要的生长取向，称为优取向。择优取向对多晶硅薄膜的性能影响很大。如果晶粒生长得像一根根柱子垂直于衬底，整片多晶硅薄膜就如同很多的小单晶并列而成，这样的多晶硅薄膜制成的薄膜太阳电池，光致载流子穿过整个电池时可以不碰到晶界，极大地减少光致载流子的复合，提高电池效率[3]。因此，如何加大晶粒粒度从而减少晶界，如何钝化晶界，如何使晶粒具有择优取向从而避开晶界的影响，是制备优质多晶硅薄膜的主要研究方向。多晶硅薄膜太阳电池是将多晶硅薄膜生长在低成本的衬底材料上，用相对薄的晶体硅层作为太阳电池的激活层，不仅保持了晶体硅太阳电池的高性能和稳定性，而且材料的用量大幅度下降，明显地降低了电池成本。它要求多晶硅薄膜的厚度在5μm到150μm左右，且薄膜的宽度至少是厚度的一倍，同时要求衬底具有机械支撑能力，要有良好的背电极，还需要对背表面进行钝化。多晶硅薄膜在长波段具有高光敏性，对可见光能有效吸收，且具有与晶体硅一样的光照稳定性，因此被公认为高效、低耗的最理想的光伏器件材料。近些年来，多晶硅薄膜材料和相关的电池工艺方面的工作引起了人们极大的关注。因为多晶硅薄膜太阳能电池兼具单晶硅和多晶硅体电池的高转换效率和长寿命等优点，同时材料制备工艺相对简单。因此多晶硅薄膜太阳电池在提高太阳电池效率、节约能源和大幅度降低成本方面都具有极其诱人的前景。但由于对多晶硅薄膜材料的研究还不够深入，膜生长技术还在探索，以及薄膜多晶方式在原理上的研究还在探讨阶段，致使多晶硅薄膜电池还处于开发阶段。3 国内外研究进展及评述多晶硅的薄膜研究历史己有半个世纪左右，但是为了获得廉价的高质量多晶硅薄膜，仍然存在不少问题，以下将对多晶硅薄膜的制备方法进行总结并进行比较。多晶硅的制备方法很多，以下将制备方法分为直接制备法和间接制备法两种主要的方法来论述。其中直接制备法是指通过不同的反应条件来控制初始晶粒的形成，长大直接在基片上得到多晶硅的制备方法。其中研究的比较多的有等离子增强化学气相沉积(PECVD)、常压化学气相沉积(APCVD)、低压化学气相沉积(LPCVD )、催化化学气相沉积(Cat-CVD)、液相外延技术(LPE)等。间接制备法是指先在衬底上制备一层非晶硅薄膜，然后通过一系列的后工艺处理得到多晶硅薄膜的方法，这些方法里主要对固相晶化(SPC)、区域熔化再结晶法(ZMR)、金属诱导晶化(MIC)研究较多。3.1直接制备法3.1.1等离子增强化学气相沉积(PECVD)(1)卤化硅+SiH4+H2的混合气体为气源卤化硅