LED生产工艺流程与设备.doc

LED生产工艺流程与设备 本文由wyl_0605贡献 ppt文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 LED的生产工艺流程及设备 的生产工艺流程及设备 黄健全 2007.3 主要内容 LED生产工艺流程； LED衬底材料制作； LED外延制作； Led生产工艺流程 1、所用硅衬底在放入反应室前进行清洗。先用H2SO4∶H2O2 (3∶1) 溶液煮10min 左右,再用2%HF溶液腐蚀5min 左右, 接着用去离子水清洗,然后用N2吹干。 2、衬底进入反应室后在H2气氛中于高温进行处理,以去除硅 衬底表面氧化物。 3、然后温度降至800℃左右,生长厚约100埃的AlN缓冲层。 4、接着把温度升至1050℃生长200nm 偏离化学计量比(富镓 生长条件)的GaN高温缓冲层。 5、再生长0.4μm厚未掺杂的GaN。 6、接着生长2μm厚掺Si的n型GaN,接下来在740℃生长5个周 期的InGaN多量子阱有源层。 7、以及在990 ℃生长200nm 的p 型GaN。 Led生产工艺流程 8、生长结束后， 样 品置于N2中于 760℃进行退火, 9、然后再对样品进 行光刻和ICP刻蚀。 Ni/Au和Ti/Al/ Ni/ Au分别用作p型 GaN和n型GaN 的 欧姆接触电极。 LED生产工艺流程 LED透明电极 LED生产工艺流程 蓝宝石衬底LED（正装、倒装） LED生产工艺流程 蓝宝石衬底紫外LED LED生产工艺流程 蓝宝石衬底白光LED LED生产工艺流程 多晶硅 衬底制作 外延生长 芯片制作 LED 所举例子只是一种LED制作工艺， 不同的厂家都有自己独到的一套制作工 艺，各厂家所使用的设备都可能不一样， 各道工序的作业方式、化学配方等也不 一样，甚至不同的厂家其各道制作工序 都有可能是互相颠倒的。 但是万变不离其宗，其主要的思想 都是一样的：外延片的生长（PN结的 形成）电极的制作（有金电极，铝电 极，并形成欧姆接触）封装。 LED衬底材料制作 硅的纯化 长晶 切片 晶边磨圆 晶面研磨 晶片蚀刻 退火 晶片抛光 晶片清洗 检验/包装 LED衬底材料制作--硅的纯化 硅石(Silica)焦炭、煤及木屑等原料混合置于石墨沉浸 的加热还原炉中，并用1500-2000℃的高温加热，将氧 化硅还原成硅，此时硅的纯度约为98％左右，在纯度 上达不到芯片制作的要求，要进一步纯化： 1）盐酸化：将冶金级的多晶硅置于沸腾的反应器中，通 往盐酸气以形成三氯化硅； 2）蒸馏：将上一步的低沸点产物（TCS）置于蒸馏塔中， 将其他不纯物用部分蒸馏去除。 3）分解：将已蒸馏纯化的TCS置于化学气相沉淀（CVD） 反应炉中，和氢气还原反应而析出于炉中电极上，再 将析出的固态硅击碎成块状多晶硅。 LED衬底材料制作 西门 子式 工艺 多晶 硅 LED衬底材料制作--长晶 经过纯化得到的电子级硅虽然纯度很高，可达 99.9999 99999%，但是结晶方式杂乱，又称为多 晶硅，必需重排成单晶结构，因此将电子级硅置 入坩埚内加温融化，先将温度降低至一设定点， 再以一块单晶硅为晶种，置入坩埚内，让融化的 硅沾附在晶种上，再将晶种以边拉边旋转方式抽 离坩埚，而沾附在晶种上的硅亦随之冷凝，形成 和晶种相同排列的结晶。随着晶种的旋转上升， 沾附的硅愈多，并且被拉引成表面粗糙的圆柱状 结晶棒。拉引及旋转的速度愈慢则沾附的硅结晶 时间愈久，结晶棒的直径愈大，反之则愈小。 LED衬底材料制作长晶过程注意事项 LED衬底材料制作--切片 切片是晶片成形的第一个步 骤，也是相当关键的一个步 骤。它决定了晶片的几个重 要规格： 晶面的结晶方向、晶片的厚 度、晶面斜度和曲度。 1）晶棒固定 2）结晶定位 切割 无法显示图像。计算机可能没有足够的内存以打开该图像，也可能是该图像已损坏。请重新启动计算机，然后重新打开该文件。如果仍然显示红色 “x”，则可能需要删除该图像，然后重 新将其插入。 LED衬底材料制作晶边磨圆 晶边磨圆主要有以下几个目的： 1）防止晶片边缘碎裂 2）防止热应力集中 3）增加外延层、光刻胶层在晶片边缘的平坦度 LED衬底材料制作--研磨和蚀刻 晶面研磨 通以特定粒度及粘性的研磨液，加 外研磨盘的公转和自转，达到均匀 磨平晶片切片时留下的锯痕、损伤 等不均匀表面。 晶片蚀刻 蚀刻的目的在于除去先