序论当金属材料尺寸进入奈米尺度时其颜色与导电性已不再.PDF

第一章 序論 當金屬材料尺寸進入奈米尺度時，其顏色與導電性已不再符合規 範。舉例來說，不同形狀或大小的金奈米材料，可展現出可見光區各 個波段的顏色 [1,2] ，如此明顯的視覺變化，僅僅是金屬奈米材料小小 特色之一。因此，為了探究材料於光、電、磁、機械等物理性質受形 狀、尺寸大小影響的特殊量子侷限效應，促使我們不斷發現並設計新 奇與便捷的方式，來製備各種不同形狀與大小的奈米材料。 1991 年，日本飯島澄男博士發現奈米碳管後[3] ，由於其深具應用 潛力與方便製作成元件，於是開啟了研究一維奈米材料的熱潮。近年 來各式各樣的一維金屬材料、半導體材料、磁性材料以及光電材料陸 續被研究發現，因此推動科學家不斷思索未來世界將是一個革命性的 新世代，更微小、更高效率的奈米尺度化積體電路將付諸實現。而本 論文研究主題，乃在於液相系統中控制奈米銅線與銅帶之形成，以期 望對目前奈米金屬科學與積體電路中的銅製程技術有所貢獻。 由於金屬銅是立方晶系的結構，若是要得到一維奈米結構，需要 提供侷限能量使晶格排列成非等向性成長（anisotropic growth ）。回顧 至目前為止的文獻報導，此侷限方式主要分為硬式模板與軟式模板 法：在軟式模板方面， 2000 年法國 Pileni 利用 AOT (bis(2-ethylhexyl)sulfosuccinate)界面活性劑在加入微量氯鹽之去離子 1 水與異辛烷溶劑系統下使其自組裝（self-assembly ）形成棒狀逆微胞 (reverse micell) ，接著再加入銅離子與N H 後就可在此軟式模板的輔 2 4 助下得到棒狀奈米銅[4] 。但是形成棒狀軟式模板條件太過嚴苛，且不 易得到高長寬比的奈米線，因此有了硬式模板法之發展。2001 年德 國Neumann 團隊利用離子撞擊聚碳酸酯(polycarbonate)得到多孔洞的 聚合物固態模板，再以電化學沉積法將金屬銅沉積在長柱狀的孔道 裡，去掉模板後就能得到金屬銅線[5] 。不過由於此模板孔徑大且大小 不均一，此固態模板已慢慢被多孔洞性陽極氧化鋁(Anodic Aluminum Oxide, AAO)所取代，2002 年中國Gao 團隊便利用多孔洞陽極氧化鋁 模板製作了高密度、高長寬比、均一線寬的奈米銅線陣列[6] 。除此之 外，改變陽極氧化鋁的製備條件就可得到不同寬度與長度的筆直孔道 [7] ，因此，此法已成為製作各種奈米線最普遍的方法；然而，必須以 酸或鹼液來去除模板成為此方法的最大缺點。 最近，化學氣相沉積法(CVD)常被使用做為直接成長一維奈米線 的方法，但多半研究的方向為半導體材料[8] 。2004 年Hyungsoo Choi 首次發表利用化學氣相沉積法合成出銅奈米線[9] ，他發現以 Cu(etac)[PEt ] (etac = ethyl 3-oxobutanoate )揮發性液體做為反應的前 3 2 驅物時，能在250 oC 的反應溫度下於矽基材上成長出[111]方向的單 晶銅奈米線，線寬約在70-100 nm 間。 2 本實驗室成功利用氣固相反應成長法(Vapor-Solid Reaction Growth (VSRG)來成長奈米銅線[10] ，其中VSRG 是利用異相反應 (heterogeneous reaction)使氣態還原劑將固態金屬鹽還原成為金屬，並 於低壓封管的環境下，以高分子材料 poly(dimethylsiloxane) (PDMS) 為晶面成長控制劑合成出高產率如電纜般保護的奈米銅線。之後更成 功的利用此VSRG 反應途徑合成出高產率的奈米銀線[11] 。 此發現不同於傳統的勻相反應(homogeneous reaction)系統，促使 我們不斷開發新的異相反應系統，並調控實驗條件以得到新奇型態的 產物。本實驗室就利用簡易的賈凡尼置換反應，以CTAC 做為晶面成 長控制劑