半导体物理与器件基础-第4章.ppt

雷天民 半导体物理与器件基础 雷天民 西Ⅱ-206 leitianmin@163.com 第四章 半导体的导电性 载流子的漂移运动 载流子的散射 迁移率与杂质浓度和温度的关系 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 玻耳兹曼方程 电导率的统计理论 强电场下的效应 热载流子 多能谷散射 耿氏效应 杂质浓度增大迁移率都下降 1 电阻率与杂质浓度的关系 轻掺杂时(1016-18cm-3),如果认为室温时杂质全部电离,载流子浓度近似等于杂质浓度,迁移率变化不大,电阻率与杂质浓度成简单反比关系。 杂质浓度很高时,由于室温时杂质不能全部电离,而迁移率又有明显的下降,曲线严重偏离直线。 掺入10-6的砷, 电阻率？ 2 电阻率随温度的变化 对于纯的本征半导体，电阻率主要由本征载流子浓度决定，电阻率随温度增加而单调地下降，这是半导体区别于金属的一个重要特征。 §4.5 玻氏方程 电导率的统计理论 费米分布函数 在没有外场作用下的热平衡条件下，系统内电子的分布服从费米-狄拉克统计规律，即 如果系统受外场作用或晶体内存在温度梯度时，系统的统计平衡状态就会遭到破坏： 外力的作用会使电子的状态发生变化； 温度梯度的存在会使费米能与坐标有关。 即：如果存在外场、温度梯度及散射，电子按波矢及坐标的分布就会发生变化，电子气系统将偏离平衡状态！ 玻耳兹曼方程 稳定状态下，分布函数所满足的方程 引入非平衡分布函数 上式等号右边表示因各种散射所引起的散射项，等号左边两项分别代表外场和温度梯度所引起的漂移项！ 反映任意时刻 t,位置 处波矢为 的一个状态被电子占据的概率。 显然，半导体中的各种散射也可改变非平衡分布函数！ 驰豫时间近似 假定电子只有在时间τ内是自由运动的，散射后又恢复到无规则的分布，即 如果没有温度梯度，f 不随 变化，则 漂移项与散射项相等，则意味着经过各种散射有可能使电子气系统达到一种新的动态平衡状态。 玻氏输运方程在输运理论中处于核心地位。一旦知道晶体中的各种散射机构，求解出各种外场作用下的分布函数，就可解决晶体中的各类输运问题。 弱电场近似下玻耳兹曼方程的解 弛豫时间近似下的稳态玻耳兹曼方程为 球形等能面的电导率 考虑速度的统计分布时，只需将τ用统计平均值代之即可 对只有长声学波散射时，有 §4.6 强电场效应 实验表明： 在外电场 E 不很强时，载流子迁移率是一常数，平均漂移速度 vd＝μE，欧姆定律成立。 当电场超过一定强度后， vd 与 E 的关系偏离欧姆定律，即迁移率不再为一个常数。平均漂移速度随外电场的增加，速率开始变缓，最后趋于一个不随场强变化的定值，称为饱和漂移速度。 一、强电场效应 在强电场中，迁移率随电场的增加而变化，这种效应称为强电场效应。 * *西安理工大学电子工程系　马剑平 * * 本章主要讨论载流子在外加电场作用下的漂移运动，讨论半导体的迁移率、电导率、电阻率等随温度和杂质浓度的变化规律以及热载流子的概念。 §4.1 载流子的漂移运动 对于载流子均匀分布的半导体材料，在无外加电场作用时，载流子的运动并不引起宏观迁移，不会产失电流。 如果在半导体的两端加上一定的电压，使载流子沿电场方向的速度分量比其它方向大，将会引起裁流子的宏观迁移，从而形成电流。由电场作用而产生的、沿电场力方向的运动为漂移运动；由于载流子的漂移运动所引起的电流称为漂移电流。 一、欧姆定律的微分形式 dV dx σ I ρ 说明：半导体中某点的电流密度正比于该点的电场强度。 二、漂移速度和迁移率 在外电场作用下，半导体中的电子获得一个和外场反向的速度，用 vdn 表示，空穴则获得与电场同向的速度，用 vdp 表示。分别为电子和空穴的平均漂移速度。 在dt 时间内通过ds的电荷量就是A、B面间小柱体内的电子电荷量，即 其中 n 是电子浓度，q 是电子电量。 所以电子漂移电流密度为 同理，空穴的漂移电流密度为 根据电流密度的定义 对 n 型半导体，n p，空穴漂移电流可以忽略；对p 型半导体，n p，电子漂移电流可以忽略；只有在本征或近本征情况下，才需同时考虑电子和空穴电流，即 在电场不太强时，漂移电流遵从欧姆定律，对 n 型半导体，由 由于电子浓度n不随电场变化，则载流子的平均漂移速度与电场强度成正比，通常用μ表示其比例系数，即 μn 和 μp 分别称为电子和空穴迁移率，它表示在单位电场下电子和空穴的平均漂移速度。 　　迁移率是半导体材料的重要参数，它反映了电子或空穴在外电场作用下作漂移运动的难易程度。 三、半导体的电导率 电导率σ