太阳电池及其应用 第三章全文 20121224.doc

第三章 硅太阳电池工艺 制造硅太阳电池包括扩散制结、制作电极和减反射膜三个主要工序。太阳电池与其他半导体器件的主要区别是需要一个大面积的浅结实现能量转换。电极用来输出电能，减反射膜的作用是使电池输出功率进一步提高。为使电池成为有用的器件，电池制造工艺中还包括除去背结和腐蚀周边两个辅助工序。一般说来，结特性是影响电池光电转换效率最主要的因素，电极除影响电性能外，还关系到硅太阳电池的可靠性和寿命长短问题。 硅太阳电池的制造工艺流程如图3-1。各工序之间还有检验项目。 我国研究、生产硅太阳电池有我国的特点，某些工艺方法，如涂源法扩散，铝-银电极、真空蒸镀和化学镀相结合的电极等，是适应我国具体条件而形成的。本章介绍目前国内制造常规硅太阳电池通用的工艺及原理，同时简要介绍了国内外较先进的制造工艺。 §3.1硅材料的选择 硅片是制造太阳电池的基本材料，它是由单晶硅棒用切片机切割得到。硅材料的原始性质在很大程度上决定了产品电池的性能。 单晶硅由工业硅（或称冶金硅）提纯成高纯多晶硅后制得。石英砂在电炉中用碳还原的方法冶炼得到工业硅，其纯度一般为95~99%，所含的主要杂质为Fe、Al、Ca、Mg等。由工业硅制得硅的卤化物（如三氯硅烷，四氯化硅），通过还原剂（如H2、Zn）还原成元素硅，沉积的微小硅粒形成很多个晶核，并且不断增多长大，最后长成整个棒状（或针状、块状）多晶体。习惯上把这种还原沉积出的高纯硅棒叫做多晶硅。 多晶硅经过区熔法（FZ）和坩埚直拉法（CG）制成单晶硅棒。区熔法是利用分凝现象，在没有坩埚盛装的情况下，高频感应加热多晶硅棒的局部产生一个熔区，并使这个熔区定向移动，由此来提纯、掺杂，并获得单晶硅。区熔法的特点是能提高纯度，减少含氧量及晶体缺陷。直拉法是将多晶硅在石英坩埚中加热熔化，用一小块称作籽晶的单晶体硅与熔融硅接触，然后一面旋转一面从熔体中拉出，使液体硅沿籽晶这个结晶中心和结晶方向生长出完整的单晶体。在太阳电池应用的材料中，目前大多采用直拉法制造的单晶硅。 一般说来，除了价格成本和来源难易外，根据不同用途，可从以下几个方面选用硅材料。 导电类型 在两种导电类型的半导体硅中，p型硅通常用硼为掺杂元素，用以制成n+/p型硅太阳电池；n型硅用磷或砷作掺杂元素，用以制成p+/n型硅太阳电池。这两种太阳电池的各项性能参数大致相当，但n+/p型电池当初的耐辐照性能优于p+/n型电池，更适合于空间应用。从目前国内外硅太阳电池生产的情况来看，多数采用p型硅材料。这是基于n+/p型电池在空间的应用及其传统的生产历史，也由于该种材料易得。地面应用以降低成本为主，两种类型的材料均可选用。 电阻率 硅的电阻率与掺杂浓度有关。就太阳电池而言，硅材料电阻率的范围相当宽广，比如0.1~50Ω·cm甚至更大范围，都可选用。但是，由硅太阳电池的原理知道，在一定范围内，电池的开路电压随着硅基体电阻率下降（即掺杂浓度的增加）而增加。图3-2给出了目前用各种基体电阻率材料制成的n+/p型电池的最高开路电压。材料电阻率较低（即掺杂浓度较高）时，能得到较高的开路电压，短路电流则略低，总的转换效率较高。所以，地面应用倾向于采用零点几至2Ω·cm的材料，以获得高的转换效率。更低的电阻率，反而使开路电压降低，并且导致填充因数下降；而且，当电阻率小于0.3Ω·cm时，短路电流有很快下降的趋势。电阻率较高的硅片（通常为10~20Ω·cm）制成带背表面电场的n+/p/p+或p+/n/n+型电池，则可以获得与低阻电池相似的开路电压。这种所谓高阻加背场的制法，已在高效率硅太阳电池中经常采用。空间应用时必须考虑太阳电池的耐辐照能力。 型硅基体电阻率为10Ω·cm制成的n+/p型电池，以获得任务末期较高的最终功率。关于辐照损伤的详细讨论已在第二章中述及。 晶向、位错、寿命 一般要求单晶沿（111）晶向生长，切割下的硅片表面与（111）单晶平行。除了某些特殊情况外，晶向要求不十分严格。制造绒面太阳电池需要晶向为（100）的单晶硅片。在不要求太阳电池有很高的转换效率的场合下，位错密度和少子寿命不作严格要求。制造高效率太阳电池所用材料要求较严。 形状、尺寸、厚度 空间应用的硅太阳电池都为方形，以减少组合方阵的表面积。随着制造工艺的不断改进，向大面积、薄厚度、高效率方向发展。目前标准的电池尺寸是2×2cm2或2×4cm2等，基体厚度为0.2mm左右。据此加上加工余量，以确定硅片毛坯的初始尺寸。对于地面应用，为了充分利用材料，应使用圆片或六角形片，其厚度为工艺处理上允许的最薄程度。 硅太阳电池最初是在空间得到大量应用，主要注意力集中在高可靠性、高功率输出及高抗辐照能力。随着太阳电池应用的重点由空间转向地面，成本成为推广应用的最大障碍。硅片质量直接影响成品电池的性能，它的价格在很大程度上决定了成