cmos负阻单元逻辑电路及其发展前景 logic circuits composed by cmos ndr elements and their development prospect.pdfVIP

专 CMOS负阻单元逻辑电路及其发展前景 郭维廉1’2，牛萍娟1，李晓云1，刘宏伟1，谷晓 ， 毛陆虹2，张世林2，陈燕2，王 伟3 (1．天津工业大学信息与通信工程学院，天津300160；2．天津大学电子信息工程学院， 100083) 天津300072；3．中国科学院半导体研究所，北京 摘要：在回顾了多值逻辑(MVL)电路的优点、分析了共振隧穿器件(RTD)电路的特点和比 较了各种类型负阻器件性能的基础上，提出了利用CMOS型负阻单元作为基础性器件设计并实 现CMOS型逻辑电路的新概念，并指出了此研究领域的几个重点研究内容和方向。 关键词：CMOS工艺；多值逻辑(MVL)；共振隧穿器件(RTD)；负阻器件；逻辑电路设计； 自锁特性 中图分类号 文献标识码 A文章编号：1671—4776(2010)08—0461—09 Circuits CMOSNDRElements Logic Composedby and Their DevelopmentProspect Wei Guo lianl“，Niuuanl，Li Xia01， Pingj Xiaoyunl，LiuHongweil，Gu Mao Shilin2，Chen Wei3 Luhon92，Zhang Yan2，Wang (1．School andCommunication ofInformation Engineering；TianjinPolytechnicUniversity，Tianjin 3001 Electronic 300072， 60，China；2．SchoolInformation of Engineering，TianjinUniversity，Tianjin Semiconductor，Chinese China；3．Instituteof Academyof 100083，China) Sciences，Beijing Abstract：Basedonthereviewofthe ofthe advantages multiple-valued Oftheresonant the circuits，the device(RTD)circuitsfeaturesand analysis tunneling cornpari— sonsofvarious differential new andrealization resistance(NDR)devices，the negative desig