pecvd法制备的zno薄膜结晶性能的影响 crystallization properties of zno thin films synthesized by plasma enhanced chemical vapor deposition.pdfVIP

第2期 微细加工技术 No．2 2007年4月 MICROFABRICATl0NTECHNOLOGY Apr．，2007 文章编号：1003—8213(2007)02—0028—06 PECVD法制备的ZnO薄膜结晶性能的影响 王应民1，2一，孙云1，一，杜楠2，蔡莉2，李禾2，程国安4 (1．南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，天津300071；2．南昌航空工业学院 材料科学与工程学院，南昌330034；3．天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室， 天津300071；4．北京师范大学材料系，北京100871) 上采用自行设计等离子体化学气相沉积(PECVD)装置来生长的ZnO薄膜。采用x射线衍射仪 (XRD)、原子力显微镜(AFM)和场发射扫描电镜分别对不同衬底温度生长的薄膜样品进行了组 成、表面和横截面的形貌表征，并且测试了薄膜的PL谱。研究结果表明，衬底温度直接影响薄膜 的结晶质量。随衬底温度的升高，ZnO薄膜的结晶取向性开始增强，晶粒尺寸增大。在衬底温度 约为450 oC时，生长的ZnO薄膜有很强的择优取向性。 关键词：Si(111)；ZnO薄膜；等离子体增强化学气相沉积；X射线衍射仪；原子力显微镜 中图分类号：0482．31 文献标识码：A 1 引言 膜的质量；采用等离子体激发C02产生氧源，生长出 的ZnO薄膜比较致密、择优取向性较好，但产生的氧 源效率低，沉积时间较长，同时要求等离子体激发 ZnO是具有纤锌矿晶体结构的直接宽禁带带隙 kv～ c02能量非常高，K．Hagalllj等人用1．8 半导体材料，室温下带隙能量为3．37ev、激子结合 能高达60meV，它具有许多优良的物理化学特性， 4．5kV交流高压来激发C02使其产生氧源，发现在 3．6kV一4．5 在表面声波器件、透明电极、太阳电池、发光器件等 kV交流高压激发C02产生氧源，生长 领域有着很大的应用潜力。生长ZnO薄膜多采用蓝 的薄膜质量较好。但在如此高的电压下，有可能给 宝石衬底，但是价格较贵，且不易解理，难以与其他 薄膜带来碳污染问题，直接影响薄膜的应用；范希 光电器件集成，si不但容易解理，且价格便宜，易于 武¨2_13J等人采用二乙基锌、二氧化碳混合气源，在 射频功率为35w、不同的衬底温度下，制备ZnO薄 与光电器件集成，所以在si衬底上生长ZnO薄膜具 有重要的意义。 膜，研究结果表明，在衬底温度为230oC时，薄膜的 制备ZnO薄膜的方法主要有MOCVD[1。2|， MBE 本研究中，以二乙基锌为锌源，在等离子体作用下的 E3—5|，PECVD[6—7]以及磁控溅射[8—1…。气相 法生长的薄膜具有成膜均匀、致密，电学和光学性能 稳定等特点，锌源一般采用Zn(C2H5)2，氧源多为 使用直流低压，以比较低的激发能量使CO：／H：发 N20，02，H20和C02。由于N20，02和H20与 生化学反应，产生氧源，同时也很好地解决了薄膜被 zn(c2H5)2反应非常剧烈，在晶格失配较大的衬底上碳沾污的问题。 非常容易生长出多取向的晶体结构，直接影响了薄