ph值调节剂对si片cmp速率的影响 effect of ph regulators on cmp rate of silicon.pdfVIP

显徽、测量、徽细加工技术与设 备“ U men q p pH值调节剂对Si片CMP速率的影响 杨金波，刘玉岭，刘效岩，胡 轶，孙 呜 (河北工业大学微电子研究所，天津300130) 摘要：通过一系列实验研究了有机和无机pH值调节剂对Si片抛光速率的影响及其影响机理。 使用有机碱调节抛光液的pH值，随着pH值的增大，Si片的CMP速率先增大后减小，pH值为 10．85时，Si片的抛光速率最大，为280nm／min；使用无机碱KoH代替有机碱调节抛光液的 pH值时，抛光速率随PH值的增加而增大。无论使用何种PH值调节剂，PH值为10～11．5时， 纳米SiO：溶胶的粒径能够稳定在43 nm左右。随着pH值的升高，Si片与抛光液的反应越来越 强烈，其反应产物在抛光液中的溶解度也会越来越大。pH值调节剂影响Si片表面钝化膜的形成 速率和去除速率，并最终影响Si片化学机械抛光的效果。 关键词：有机碱；KOH；硅片；溶解度；抛光速率 中图分类号：TN305．2文献标识码：A文章编号：1671—4776(2010)10—0643—04 Effectof onCMPRateofSilicon pH Regulators Yi，Sun Jinbo，LiuYuling，Liu Ming Yang Xiaoyan，Hu 300130，China) (InstituteMicroelectronics，HebeiUniversityofTechnology，Tianjin of andtheeffectofthe H onthechemi— mechanism and Abstract：The organicinorganicp regulators cal ofsiliconwaferswerestudied a seriesof mechanical through experi— polishing(CMP)rate ments．Theresultshowsthatthe removalrate followeda polishing goesupinitially by gradual the fastest at10．85 valuewhile withtheincreaseof value。the rateiS280nm／min decay PH pH basesto the the rateincreaseswiththeincrease the adjustpHvalue，and usingorganic polish