现代集成电路制造工艺原理-第十六章.ppt

现代集成电路制造工艺原理 山东大学 信息科学与工程学院 王晓鲲 第十六章 刻蚀 刻蚀参数 干法刻蚀 等离子体刻蚀反应器 干法刻蚀的应用 湿法腐蚀 去除光刻胶 刻蚀 刻蚀：用化学或物理方法有选择的从硅片表面去除不需要的材料的过程。 刻蚀 干法刻蚀 将硅片表面曝露于气态中产生的等离子体，等离子体通过光刻胶中开出的窗口与硅片发生物理或化学反应，从而去掉暴露的表面材料。 湿法腐蚀 利用化学试剂（如酸、碱和溶剂等）以化学方式去除硅片表面材料。 刻蚀参数 刻蚀速率 刻蚀剖面 刻蚀偏差 选择比 均匀性 残留物 等离子体诱导损伤 颗粒沾污和缺陷 刻蚀速率 刻蚀速率：刻蚀过程中去除硅片表面材料的速度。单位：?/min 刻蚀速率 =ΔT/t 刻蚀速率 刻蚀速率通常正比于刻蚀剂的浓度。 负载效应 要刻蚀硅片表面大面积区域，会耗尽刻蚀剂浓度使刻蚀速率慢下来。 如果刻蚀的面积比较小，则刻蚀就会快些。 刻蚀剖面 刻蚀剖面：被刻蚀图形的侧壁形状 各向同性 各向异性 刻蚀剖面-各向同性 各向同性的刻蚀剖面是在所有方向上以相同的刻蚀速率进行刻蚀。 湿法化学腐蚀本质上是各向同性的。 刻蚀剖面-各向异性 各向异性的刻蚀只在垂直于硅片表面的方向进行，只有很少的横向刻蚀。 各向异性刻蚀大部分是通过干法等离子体刻蚀来实现。 刻蚀偏差 刻蚀偏差：刻蚀以后线宽或关键尺寸间距的变化。 刻蚀偏差=Wb-Wa 选择比 选择比：被刻蚀材料的刻蚀速率与另一种材料的刻蚀速率的比。 均匀性 刻蚀均匀性：衡量刻蚀工艺在整个硅片上，或整个一批，或者批与批之间的刻蚀能力的参数。 均匀性与选择比有密切的关系 刻蚀速率在小窗口图形中较慢 残留物 刻蚀残留物：刻蚀以后留在硅片表面不想要的材料。 产生原因：被刻蚀膜层中的污染物等 可能会造成短路、污染等问题。 为了去除刻蚀残留物，有时在刻蚀完成后会进行过刻蚀。在一些情况下，刻蚀残留物可以在去除光刻胶的过程中或用湿法化学腐蚀去掉。 聚合物 聚合物能阻挡对侧壁的刻蚀，增强刻蚀的方向性 在刻蚀过程中由光刻胶中的碳转化而来并与刻蚀气体和刻蚀生成物结合在一起形成的 聚合物在刻蚀完成后要去除。 等离子体诱导损伤 一种主要的损伤是非均匀等离子体在晶体管栅电极产生陷阱电荷，引起薄栅氧化硅的击穿。 颗粒沾污 由于电势的差异，颗粒产生在等离子体和壳层的界面处。当没有了等离子体时，这些颗粒就会掉到硅片表面。 干法刻蚀与湿法腐蚀相比的优缺点 优点 刻蚀剖面是各向异性，具有非常好的侧壁剖面控制 好的CD控制 最小的光刻胶脱落或粘附问题 好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性 较低的化学制品使用和处理费用 缺点 对下层材料的差的选择比 器件损伤 昂贵的设备 干法刻蚀 电势分布 等离子体刻蚀反应器 圆桶式等离子体反应器 平板（平面）反应器 顺流刻蚀系统 三级平面反应器 离子铣 反应离子刻蚀（RIE） 高密度等离子体刻蚀机 圆桶式等离子体反应器 具有各向同性的高选择比的纯化学过程 主要用于硅片表面的去胶 平板（平面）反应器 顺流刻蚀系统 普遍用微波源来激发等离子体（频率是2.45GHz ） 采用的是化学刻蚀，是各向同性的。 可以减少等离子体轰击产生的损伤 三级平面反应器 离子铣 反应离子刻蚀 高密度等离子体刻蚀机 对于0.25μm级以下的图形，标准等离子体刻蚀系统难以进入高深宽比图形并使刻蚀生成物从高深宽比图形中出来。 解决方法是降低工作压力至1-10毫托。但这种方法减少了离子密度，从而降低了刻蚀速率。 高密度等离子体提高了离化率，从而产生足够的离子。 终点检测 光发射谱 干法刻蚀的作用 介质的干法刻蚀 氧化物 可以刻蚀出高深宽比的窗口 对下层材料和光刻胶有高的选择比 常用气体CF4 氮化硅 常用的主要气体是CF4 CF4与O2和N2混合使用，来稀释氟基的浓度，降低对下层氧化物的刻蚀速率。 干法刻蚀的作用 硅的干法刻蚀 多晶硅 常用化学气体是氯气、溴气或氯气/溴气 能产生各向异性的硅侧壁剖面并对氧化硅有好的选择比。 干法刻蚀的作用 硅的干法刻蚀 单晶硅的刻蚀 STI器件隔离技术中的浅硅沟槽（小于1微米到几微米） 垂直电容（深度大于5微米） 使用氟气、氯基或溴基的气体 干法刻蚀的作用 金属 铝 通常用氯基气体来刻蚀铝。 纯氯刻蚀铝是各向同性的。 为了获得各向异性的刻蚀，必须在纯氯中加入聚合物对侧壁进行钝化。 干法刻蚀的作用 金属 钨 可以用氟基（SF6和CF4）和氯基（Cl2或CCl4）的气体来刻蚀钨 干法刻蚀的作用 金属 接触金属刻蚀 氟基或氯基气体常用作接触金属的等离子体刻蚀。 湿法腐蚀 湿法腐蚀氧化硅 可用被氟化铵缓冲的稀氢氟酸（BHF， 或BOE）来进行湿法腐蚀。 腐蚀1μm厚的氧化硅，也会在掩模材料下面腐蚀掉1μm的氧化硅。 干氧比湿痒致密，干氧