硅片加工重点.ppt

倒角研磨热处理 倒角、研磨、热处理目的和意义 研磨浆成分，属于什么磨削 研磨浆中磨粒和磨削液的作用 双面研磨的基本组成是：上、下磨盘+中间载体，硅片放于载体中的孔洞。 研磨中，硅片的运动：行星式运动 浓度和压强对研磨速率的影响 热施主概念，主要来自那种元素 新施主，热施主的形成温度，热处理的退火温度 必须消除热施主的原因 为何退火选取硅片而不是硅棒 倒角磨片热处理中，应力的形成与消除 氧沉积的利用 抛光 硅片的理想状态是什么 抛光前化学剪薄的意义（作用）和方法 CMP抛光的基本思想，两种作用的内容和相互关系 抛光液的主要成分和作用 通过控制那些参数，逐步提高抛光精度 单面化学机械抛光分为有蜡和无蜡单面抛光，如何固定硅片 压力，转速，等如何影响抛光的速率 抛光过程中较大和较小SIO2胶粒的作用 橘皮和雾形成的原因主要是什么 硅片清洗 硅片表面有哪两种吸附，各自特点是什么。 吸附能力和原子面有关，Si什么面吸附能力最强 典型的湿法物理和化学清洗 清洗对象——主要污染物种类 切割片、研磨片、抛光片主要清洗方法 RCA清洗液的主要成分作用，及主要作用 RCA什么清洗液去除颗粒，主要机理 清洗过程中，为防止颗粒二次吸附造成深层次污染，所需加入到试剂是什么 简述根据污染物含量的不同，如何清洗有机物 如何清洗化学（物理）吸附的杂质 对于不溶物，如何增加其在液体中分散性 清洗中哪种试剂会增加粗糙度 清洗中，表层SiO2的作用 绪论 硅晶体结构，最密集原子面，最优解理面 硅熔点 金属硅制备方法，高纯多晶硅制备方法，单晶硅制备方法， 单晶的两种生长方法，各自的优点和缺点 多晶锭制备方法 硅片的主、副参考面，主要作用 最常见的两种晶向的硅片 滚磨开方 滚磨，开方的目的和意义 加工对象：电路单晶硅，光伏单晶硅，光伏铸锭多晶硅 几种对象在此阶段如何加工 磨削的两种方式 滚磨、开方的主要设备 定向切割 切割方法：内圆、外圆、多线 切片的主流设备，切割的原理 切割砂浆的组成，主要作用，78页 多线切割的主要优点 多线切割的硅片厚度，那个参数决定 定向方法 名词：弯曲、翘曲，总厚度变化