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1.真空系统的排气公式及检漏 答： 抽速及流导 流导C：在真空系统内，真空管路中气体的通过能力。，式中，p1和p2为部件两端的气体压力；Q为单位时间内通过该真空部件的气体体积。 真空泵的抽速 S=Q/P，式中，P为真空泵入口处的气体压力；Q为单位时间内通过的真空泵入口的气体体积。 真空泵的实际抽速S永远小于理论抽速Sp 。用一台抽速为Sp的泵，通过流导C抽真空容器中的气体。设真空容器的压力为P，泵入口处的压力为Pr（注：即图中的Pp ），由于流量各处相等,即： Q=Sp·Pr=S·P=C(P－Pr)→S= （2）真空泵的极限真空度 实际的抽真空过程中总存在着漏气，如从真空系统外渗入到真空腔中（Qpe），从真空材料内往真空腔体内扩散（Qd）等。设总漏气量为QL则有： ，其中， QL=Qdes+Qd+Qpe+Qleak令Q=0 (3) 抽气公式 由于气体通量Q可以表达为气体体积V与压力p的乘积对时间的导数，即，得抽气公式：积分得，(注：此处稍微做了简化)。其中P0为真空系统在t=0时的真空度，它将随着时间的延长而趋于Pm。 (4)检漏 右图为抽真空过程中不同漏气方式对真空度的影响。 只能检查比较明显的漏气，可以通过对比抽气泵的极限真空和实际得到的真空来判断漏气的大小 漏气的判断：（1）直线a：压力保持不变（2）曲线b：压力开始时曲线上升较快，然后上升速度渐缓并逐渐趋于水平恒定状态，这是放气造成的，因为不论是蒸汽源的放气或材料的放气，在达到一定的压力后都会呈现出饱和状态的趋势。 （3）斜线c：压力是直线上升状态，这是漏气；其漏气率正比于内外的压力差。 （4）曲线d：是曲线b与斜线c的叠加，即设备同时存在着漏气与放气两种现象。 出现c和d判断确实有漏气后，就可以工作。 2. 答:表面元胞面积S 常见晶体表面的断键数见《薄膜生长》P54表3.1 补充金刚石结构：（111）面表面元胞断开数为1，（100）面断开数为2，（110）断开数为1. 表面能计算见复习资料第一题。 几何上晶体表面可以偏离密排或次密排晶面，此时晶体的有些表面有台面和台阶组成，它们被称为TL结构 表面的TKL结构 m(hkl)*n(hkl)-[uvw] 表示它由（hkl）台面和（hkl）台阶组成，台面和台阶的宽度分别为m个和n个晶列宽，台阶方向为[uvw].这种由台面、台阶、扭折组成的结构称为TKL结构。 台阶扭折处特点：扭折之间的台阶长度和倾斜角度有着对应关系。偏离低指数面的角度愈小，台面宽度和扭折间的台阶长度愈大。 3.反应扩散，薄膜中的扩散机制 AB 复合膜，除了存在A与B互扩散外，还常常发生A与B的互反应。形成新相AαBβ。 在一定条件下(如温度、压力)，复合膜AB之间发生固相互作用，其中包括互扩散和互反应。开始时，A晶格中的原子在反应驱动力F驱动下，原子键合断裂，形成A原子流JA向B晶格扩散。同样过程也在B晶格中发生。经过一段时间后，A，B原子在界面AB发生反应，生成AαBβ ，AB界面成为A/ AαBβ/B，AαBβ 是一种新化合物。 a-γ界面附近： a-γ界面： γ相内： 反应控制过程： 扩散控制过程： 薄膜中的扩散机制 固体中扩散的微观机制主要有两种：空位机制和间隙原子机制。前者适用于基体自身院子和替代合金原子，后者适用于间隙自身原子地和间隙合金原子，在密堆积金属中由于自身原子和替代合金原子的原子半径比较大，它们一般不能进入间隙位置。它们要扩散，必须等待最近邻出现空位后和空位交换位置。此时扩散激活能和有空位形成能和空位迁移能组成。 因为原子遇到空位的几率等于空位浓度，即和exp(－Ef/kT)成正比；而原子和空位交换位置的几率与exp(－Em/kT)成正比，因此扩散系数D和温度T的关系可以表示为 D =Doexp[－(Ef+ Em)/kT] 间隙原子的迁移和exp(－E’m/kT)成正比，这里E’m是间隙原子的迁移能。因间隙原子近邻的间隙中一般没有间隙原子，它们可以随时接纳间隙原子，因此这时扩散激活能直接等于间隙原子迁移能E’m。此时 扩散系数D和温度T的关系可以表示为 D =Doexp(－E’m/kT) 低温下晶粒边界扩散比晶体点阵扩散显著得多，因此在地温下，原子先沿着晶粒边界扩散再从边界向两侧的晶粒点阵扩散；但高温时情况有所不同，由于晶粒边界扩散比晶体点阵扩散的范围小得多，从扩散总量相比，高温下晶体点阵扩散愈来愈重要， 表面扩散：是指原子在固体表面上由一个表面位置向另一个位置移动。表面扩散可通过表面空位和表面增原子两种机制进行，具体采用哪种机制则看哪种机制底扩散激活能(Ef+Em)小。 4表面扩散的测试技术（STM） 答：(1)超高真空扫描隧道显微镜(STM)直接观测法 A关于扩散系数 ①无规行走模型与示踪扩散系数