第六章 半导体传感器.ppt

第六章 半导体传感器 6.1半导体管传感器 6.1.1 磁敏二极管和磁敏三极管 一、磁敏二极管(SMD) 1、结构 6.1.2 热敏管 6.1.3 气敏管 6.2 半导体集成传感器 6.2.1 集成霍尔传感器 6.2.2 集成温度传感器 * * 图6-1-1磁敏二极管结构示意图 图6-1-2磁敏二极管工作原理示意图 2、工作原理 当磁敏二极管受到外界磁场H+(正向磁场)作用时，形成的电流减小。 当磁敏二极管受到外界磁场H-(反向磁场)作用时，形成的电流变大。 磁敏二极管反向偏置时，仅流过很微小电流，几乎与磁场无关。 图6-1-3磁敏二极管磁电特性 3、主要特性： 1）磁电特性 单只使用时，正向磁灵敏度大于反向， 互补使用时，正、反向磁灵敏度曲线对称，且在弱磁场下有较好的线性。 图6-1-4　SMD的伏安特性曲线 2)伏安特性 图6-1-5温度补偿电路 ４、温度补偿电路 图6-1-6磁敏三极管的结构与符号 二、磁敏三极管 1、结构 图6-1-7磁敏三极管工作原理 2、工作原理 当受到正向磁场(H+)作用时，集电极电流下降， 当受到反向磁场(H-)作用时，集电极电流增大， 磁敏三极管与磁敏二极管相比，灵敏度更高 图6-1-8　　3BCM的磁电特性 3、主要特性 1)磁电特性 :那个时，在弱磁场作用是，曲线接近一条直线。 图6-1-9磁敏三极管的伏安特性曲线 2)伏安特性 ：――磁敏三极管的电流放大系数小于1且具有磁灵敏度。 图6-1-10磁敏三极管的温度补偿电路 4、温度补偿电路 ， IS——反向饱和电流 2)正向电压与温度关系 ――若ID恒定（一般取10～50μA），则通常在0～250°温度范围内PN结正向电压随温度的增加而线性减少。 式中 一、热敏二极管 1．PN结的温度特性 1）正向电压U与正向电流ID的关系 式中 C=2mV/K 或 2mV/℃ 2、热敏二极管测温电路 RP1用于调零，RP2用于调满度。 为了提高灵敏度，可采用多个PN结串联。 图6-1-11温敏晶体管测温电路 二、热敏三极管 1．温度特性――晶体管的发射结的温度特性比二极管有更好的线性和互换性 2．热敏三极管测温电路 通常将晶体管的基极与集电极短接或使二者等电位 图6-1-12　MOS二极管结构和等效电路 一、MOS二极管气敏器件 当吸附了H2以后， MOS气敏二极管的C-V特性向负偏压方向平移。根据这一特性就可用于测定H2的浓度。 图6-1-13　　Pd-MOSFET和普通MOSFET结构 (a)普通MOSFET　　　　　　(b)　Pd-MOSFET 二、钯-MOS场效应晶体管气敏器件 利用H2在钯栅极上吸附后引起阀值电压VT下降这一特性来检测H2浓度 6.1.4湿敏管 一、湿敏二极管 随着相对湿度的增加，反向电流减小 二、湿敏MOS场效应管 输出电压-相对湿度特性曲线，它几乎呈一条直线 图6-2-1霍尔开关集成电路原理线路图 H为霍尔元件；V1、V2构成差分放大器(消除温度漂移影响，增强抗干扰能力）； V3、V4构成施密特触发器（将差分放大输出整形为矩形脉冲）； V5倒相放大, V6射极跟随器，V8、V7构成双管集电极输出。 图6-2-2　输出电平Uo与B的关系 BH越小，灵敏度越高；BH-BL越大，抗干扰能力越强。 霍尔开关正常工作时，常态应处“截止状态”。 图6-2-3线性集成霍尔传感器典型电路 V1、V2组成第一级差分放大，V3～V6组成第二级差分放大， 射极电阻R8外接，用于调整电路增益。 图6-2-4 电流型集成温度传感器核心电路 一、电流型集成温度传感器 1、核心电路原理 CI一般为1μA／K或1μA /℃，为273.2μA 2、常用型号：LM134、AD590、AD592、TMP17等 *