第六章 半导体界面及接触现象-.ppt

第六章 半导体界面及接触现象－pn结 半 — 半接触 一、p-n结的形成和杂质分布 第六章 pn结 PN结的形成、杂质分布 空间电荷区 势垒区 耗尽层 pn结电容 p-n结击穿特性 第六章课后习题 Evp Eg Ecp (4) 正偏V继续?，(EF)nEvp，(EF)pEcn EFP Evn Ecn EFn V ?, 势垒高度?， P区禁带 ?结两边能量相同的量子态减少 (5) 当V=VV时，Ecn=Evp Evp Eg Ecp (6) V再?，扩散电流为主，与普通的 p-n结一样 谷值电流 EFP EFn Ecn Evn 结两边无能量相同的量子态 (7) 加反向电压，势垒加高 反向隧道电流 Ecp Evp Ecn Evn EFn EFP 结两边能量相同的量子态范围内： EFp下满态 EFn上空态 ?隧道结利用多子隧道效应工作 ?隧道二极管的噪声低 ?隧道二极管的工作温度范围大 ?隧道二极管可在极高频率下工作 用处 微波放大、高速开关、激光振荡源等 理想pn结的伏安特性曲线，实际与理想的偏离。 雪崩击穿 隧道击穿 热电击穿 隧道结 1. 若 ，求 室温下Ge突变p-n结的 解： 4. 证明反向饱和电流公式 可改写为 式中： 分别为n型和p型半导体 电导率， 为本征半导体电导率。 证明： 已知 其中 为p区少子电子的扩散系数和迁移率 为n区少子空穴的扩散系数和迁移率 |V|? J?-Js Js为反向饱和电流 V0 反向偏压电流饱和 “－”表示 J 与正向时相反 反向电流密度饱和，与外加电压无关 V J Js pn结的 J－V 曲线 pn结具有单向导电或整流效应 5. 温度对pn结电流密度的影响 对反向电流： T ?, Js 迅速增大 且 Eg 越大的半导体， Js 变化越块 对正向电流： 为常数 Vg0 为 0k 时导带底和价带顶的电势差 T ?, 正向 J ? 6. 理想pn结模型 小注入条件 －注入的少子浓度比平衡多子浓度小得多 突变耗尽层条件 －注入的少子在p区和n区是纯扩散运动 ?通过耗尽层的电子和空穴电流为常量 －不考虑耗尽层中载流子的产生和复合作用 ?玻耳兹曼边界条件 －在耗尽层两端，载流子分布满足玻氏分布 7. pn结电流电压特性偏离理想方程的因素 表面效应 势垒区中的产生及复合 大注入条件 串联电阻效应 势垒区的产生电流 热平衡时 载流子的产生率＝复合率 反向偏压 载流子的产生率 复合率 总反向电流密度 J反 ＝ J扩＋ J产 以 p+n 结例： Ge: Eg 小，ni2大，反向电流中扩散电流主要 Si: Eg 大， ni2小，反向电流中势垒产生电流主要 V ?, XD?, ? JG ? 不饱和，J反 缓慢增加 势垒区的产生电流 XD 势垒区宽度 反向扩散电流密度 势垒区的复合电流 正向偏压，从n区注入p区的电子和从p区注入 n区的空穴，在势垒区内复合了一部分，构成 了另一股正向电流。 总正向电流密度 J正 ＝ J扩＋ Jr 复合电流密度 Jr P N Ε内 + － ?正向电流密度的经验公式 扩散电流与复合电流之比与 V 有关 V ?，J扩/Jr 迅速 ?，?低 V时, Jr J扩 V ?，J扩/Jr 迅速 ?，?高 V时, Jr J扩 J/Js 实际pn结的电流电压特性 大注入情况 正向偏压较大时，注入的非平衡少子浓度接近 或超过该区多子浓度的情况 例如：p+n结在大注入情况下的电流电压关系 四、pn结电容 低频，pn结有整流作用；高频，无整流作用 pn结电容破坏整流特性 pn结电容包括：势垒电容和扩散电容 1. 势垒电容 平衡pn结势垒区 正偏时势垒区变窄 正偏 V ?, 空间电荷?，部分电子和空穴存入势垒区 正偏 V ?, 空间电荷?，部分电子和空穴从势垒区中取出 反偏 V ?, 空间电荷?，部分电子和空穴从势垒区中取出 反偏 V ?, 空间电荷?，部分电子和空穴存入势垒区 势垒区的空间电荷数量随外加V而变化， 和一个电容器的充放电作用相似，这种pn结 的电容效应称为势垒电容。 势垒电容是可变电容，可引入微分电容的 概念来描述 C 随 V 变 突变结的势垒电容（反向偏压） VD 是突变结接触电势差 A 是 pn 结面积 XD 势垒宽度 突变结的势垒电容（正向偏压） ?反偏时突变结势垒电容等效为平行板电 容器的电容 线性缓变结的势垒电容（反向偏压） ?j 杂质浓度梯度 ?反偏时线性缓变结势垒电容等效为平行板电 容器的电容 突变结和线性缓变结的 CT 与 V 有关 制成