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磁性材料基本概念及定义1.磁场 ? ?电流产生磁场，在螺线管中，或在磁路中电流的产生的磁场为: 在这一个表式中，采用国际单位制，H单位为安培/米(A/m)，N为匝数，I为电流，单位安培(A)，le为螺线管或磁路长度，单位为米(m)。在磁芯中，加正弦波电流，可用有效磁路长度le来计算磁场强度： 2.磁通密度、磁极化强度、磁化强度 ? ?在磁性材料中，加强磁场H时，引起磁通密度变化，其表现为：? ?B为磁通密度，亦称磁感应强度，J称磁极化强度，M称磁化强度，μ0 为真空磁导率，其值为4π×10-7亨利/米(H/m)。B、J单位 T，H、M单位为A/m，1T=104Gs。在磁芯中可用有效面积Ae来计算磁通密度：正弦波为：电压单位V，频率单位为Hz，N为匝数，B单位为T，Ae单位为m2。3.饱和磁通密度、剩余磁化强度、矫顽力? ??B和H的关系除在真空中和在磁性材料中小磁化场下具有线性关系外，一般具有非线性关系，即具有所谓磁滞回线性质：?Bs为饱和磁化强度，Br为剩余磁化强度，Hc为矫顽力，Hs为饱和磁化场，不同磁性材料产生的磁滞回线表现形式不一样，Bs、Br、Hc、Hs都不一样4 磁导率我们平常用的大都是相对磁导率，且把脚标 r 省去。称初始磁导率，它与温度、频率有关。测量时在一定温度、一定频率、很低的磁通密度(或很小的磁场)、闭合磁路中进行。在实际测量中，规定：磁场H所产生的磁通密度应小于1mT，一般B为0.1mT，但亦有许多特殊情况，应加以注意。4)在磁路中存在气隙，即非闭合磁路条件下，测得的磁导率为有效磁导率:g是气隙长度，le是有效磁路长度。这一表示，仅是小气隙g下的一种近似。在大气隙下，磁通要穿过气隙的外部，其有效磁导率将大于按上式计算所得之值。5)在没有偏置磁场的情况下，磁场H较大时，该磁场H产生磁通密度B，则这时，,称振幅磁导率。6)在具有直流偏置磁场时，再加上一个交流磁场，这时测得的磁导率称为增量磁导率。在直流迭加状态下测得的电感，计算出的磁导率近似于增量磁导率。7)上述1)～6)的磁导率都是频率较低，或接近直流状态下测得的磁导率，在频率较高时，其磁导率表现为复数磁导率。在串联电路中为在并联电路中为，、、、都是频率的函数。 5 阻抗???电感产生感抗XL=jωL,电容产生容抗，二者总称为电抗，纯电阻R。三者总称阻抗，在磁性器件讨论中，相对低的频率下，我们忽略容抗，只讨论电阻和感抗，且有串联电路和并联电路之分.?????串联电路??????????????????????????????并联电路 串联电路中阻抗Zs=Rs+jωLs，并联电路中阻抗，Zs、Zp都与频率有关，其特性称为阻抗频率特性，它与磁性材料频率特性有关。另外，它们与绕组参数有关。在复数磁导率中，其频率特性表现为μ ，μ 的频率特性。阻抗频率特性，实际上是磁性器件的特性，并非是材料的特性. 6 损耗因子??? 表示小信号下材料的损耗特性。由于磁芯损耗，引起信号相移，其表示为。tgδm称为损耗因子，表示的是损耗功率与贮能的比值。因磁芯损耗包括磁滞损耗，涡流损耗、剩余损耗，所以损耗因子可表示为:tgδm= tgδh + tgδe + tgδr ，分别称为磁滞、涡流、剩余损耗因子.7 比损耗因子?或 称比损耗因子，与材料几何尺寸无关，表示小信号下材料的损耗特性。 8、气隙的影响 当磁路中有气隙时，其损耗因子为带气隙损耗因子，(tgδ)gap它与无气隙时损耗因子的关系为：，因μe、μi1，所以有:即有，由于μeμi，所以开气隙后，损耗因子减小，Q值增加。磁芯开制气隙后，磁芯内部磁场强度Hi大大减小，由Hi=He-Hd=He-NM可以看出，退磁因子N越大，Hi越小。这里He是绕组通以电流后产生的磁场()，M是磁化强度。退磁因子为0～4π，对闭路磁芯N=0，气隙越大，N越大，反之亦然。开制气隙可增加磁场和温度的稳定性。 9、品质因素Q磁性器件作滤波器的电感时，通常用品质因素(Q)来表示它的质量，品质因素，Rtot表示总电阻，它是线圈和磁芯的总电阻。Rtot表示损耗，包括磁芯损耗、铜线损耗。Q与频率和绕组参数有关。 10、大信号场下的功率损耗 大信号场下，磁芯损耗用下式表示:Pm=Ph+Pe+Pr ，Ph、Pe、Pr，分别表示磁滞损耗、涡流损耗、剩余损耗。 11、温度系数与比温度系数 温度系数为μi1,μi2分别表示温度T1，T2时的初始磁导率。 比温度系数:αμi　,αμi r均表示磁导率的温度稳定性。 12、减落因子与比减落因子 减落因子为 μi1,μi2表示同一温度下，t1, t2 时刻的初始磁导率。 比减落因子 DA, D