湖南大学电子线路课件1(二极管).ppt

  1. 1、本文档共41页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
湖南大学电子线路课件1(二极管)

第 一 章;晶体二极管;1.1 半导体物理基础知识;1.1.1 本征半导体;它们称为单晶,是制造半导体的基本材料。;二、 本征激发和复合;本征半导体的导电机理;本征半导体中电流由两部分组成: 1. 自由电子移动产生的电流。 2. 空穴移动产生的电流。;1.1.2 杂质半导体;半导体原子形成共价键,必定多出一个电子,这个电子几乎不受束缚,很容易被激发而成为自由电子,这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出一个电子,称为施主原子。 ;二、P 型半导体;三、多子和少子热平衡浓度;N型半导体: 与温度T无关 与温度T有关 T升高, ni升高, p0升高, 当p0≈n0时, 杂质半导体变为 类似的本征半导体. P型半导体具有相似的性质. 少子浓度的温度敏感性是导致半导体器件温度特性 差的主要原因. ;1.1.3 两种导电机理—漂移和扩散;1.2 PN 结;多子扩散和复合导致紧靠交界面两侧的区域内留下了杂质离子,其中P侧为带负电荷的受主离子;N侧为带正电荷的施主离子,而且两侧的正负离子电荷量相等,形成空间电荷区,也称耗尽区、阻挡层、势垒区。当扩散达到一定程度时,空间电荷区增宽,当其产生的电场增大到一定数值时,多子扩散和少子漂移达到动态平衡。;三、阻挡层宽度;一、PN 结正向特性;二、PN 结反向特性;三、伏安特性;1.2.3 PN结的击穿特性;三、稳压二极管;1.2.4 PN结的温度特性;二、击穿电压的温度特性 ;1.2.5 PN结的电容特性;二、扩散电容;1.2.6 PN结的开关特性;二、开关特性的非理想性 ;1.3 晶体二极管的分析方法;三、等效电路模型;2. 小信号电路模型;1.3.2 晶体二极管电路分析方法;1. 直流分析;2. 交流分析;二、等效电路分析法;2. 交流分析;1.4 晶体二极管的应用;二、稳压电路;1.4.2 限幅与钳位电路;二、钳位电路;1.4.3 二极管与门、或门

文档评论(0)

sandaolingcrh + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档