高光束质量新型垂直腔面发射激光器阵列 high beam quality novel vertical cavity surface emitting laser array.pdfVIP

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2017-08-31 发布于上海
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高光束质量新型垂直腔面发射激光器阵列 high beam quality novel vertical cavity surface emitting laser array.pdf

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高光束质量新型垂直腔面发射激光器阵列 high beam quality novel vertical cavity surface emitting laser array

第36卷第8期中国激光 V01．36，No．8 2009年8月 CHINESE OFLASERS JOURNAL August，2009 文章编号：0258-7025(2009)08—1941—05 高光束质量新型垂直腔面发射激光器阵列崔锦江1’2 宁永强1 张岩1’2 孔鹏2 刘光裕1’2 张星1’2 王贞福1’2 史晶晶1’2 李特1’2 秦莉1 刘云1 王立军1 ，1中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室，吉林长春130033、＼ 2中国科学院研究生院，北京100039 ／摘要报道了一种具有新型排列方式的垂直腔面发射半导体激光器(VCSEI。)阵列。通过调制阵列中各单元直径以及单元间距，得到1kW／cm2的高功率密度和高斯远场分布，且在工作电流o～6A内远场发散角均小于20。。阵列由直径分别为200肛m，150gm和100llm成中心对称分布的5个单元组成，单元圆心问距分别为250pm和 200 A时达最大输出功率880mw，斜率效率为0．3W／A，具有 pm。在室温连续工作条件下。阵列在注入电流4 0．56 A的低阚值电流，微分电阻0．09Q。与具有相同出光面积的4×4二维阵列相比，这种新型阵列在出光功率、阈值电流、光谱特性及远场分布等方面均具有优越性。模拟r阵列各单元叠加后的近场远场光强分布，结果表明得到的新型阵列的远场分布与实验结果吻合较好。关键词激光器；垂直腔面发射激光器；阵列；远场分布中图分类号TN248．4文献标识码A doi：10．3788／CJ1941 Beam NovelVerticalSurface High Quality Cavity Laser EmittingArray Cui Yanl，2 Liu Jinjian912NingYongqian91Zhang KongPen92 Guangyul，2 Zhenful’2Shi LiTel，2 Lil ZhangXin91，2Wang Jingjin91，2 Qin LiuYunl WangLijunl 1 ExcitedState Institute KeyLaboratoryof Processes，ChangchunofOptics， FineMechanicsand 130033，China Physics，ChineseAcademyofSciences，Changchun，Jilin 2 Graduate Chinese Universityof AcademyofSciences，Beijing1000