高压高可靠性vdmos功率器件钝化膜工艺研究 research on sion passivation process for high breakdown voltage and high reliability vdmos device.pdfVIP

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2017-08-31 发布于上海
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高压高可靠性vdmos功率器件钝化膜工艺研究 research on sion passivation process for high breakdown voltage and high reliability vdmos device

第38卷第4期微电子掌 V01．38。No．4 2008牮8胃 Microelectronics Aug．2008 高压高可靠性VDMOS功率器件钝化膜工艺研究卞铮，李冰 (东南大学集成电路学院，南京210096) 摘要：对500～1200V统一_艺平台的恻OS功率器件的钝化膜工艺进行了研究。通过选择钝化膜介质(Si0N)工艺条件，选择合适的光刻条件，使该器件的表面极化低于50V，大大增强了器终在高难工锋环境下的可靠槛。关键词： vDMOS；功率器件；钝化膜；氮氧化硅；极化巾图分类号：TN304．055文献标识码：A Researchon Processfor SiONPassivation Breakdown High Voltage and VDMOSDevice HighReliability BIAN Zheng，LIBing (IC 210096，P．R．China) College，SoutheastUniversity，Nanjing was film for VDMOS Abstract：Aresearchmadeonthe device passivationprocesshighvoltage platform．By conditions ofCVDfilms surface below for aad choosingproperprocess passivation photolithography，apolarization 50Vwasachieved，whichenhancedthe ofthedevicefor greatly reliability highvoltageapplications． words：VDMOS；Power film；Silicon Key device；Passivatedoxynitride；Polarization EEACC：2550E；2560P 等。下面对以上几种常用钝纯膜的特性进行考察。 1 引言氧化硅(SiOz)用作器件表面钝化层时一般采用无掺杂的APC旧或pE(：vD的方法形成，通常用在平面工艺中，由于靠近硅表面的二氧化硅薄于对可靠性要求不高的数字集成电路器件。但对于膜中存在固定电荷[1]，对n型硅会引起电子的积高压功率器件的运用，由于其相对疏松的结构及累，对P型硅会形成反型屡，同时，二氧化硅绝缘层 Si02本身的特性，使其无法有效抵挡杂质离子(特膜作为平面器件的钝化层是不能防止钝化层电子积别是Na+离子这类小型离子)的侵入，从谳造成器累和离子沾污的。这些特性使得工业生产中很难制件可靠性不佳。