第6卷第6期%$$8年6月.PDFVIP

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第6卷第6期%$$8年6月

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 6 6 %$$8 6 , , , P?( 46 +? 46 /*Z %$$8 ( ) #$$$1%V$,%$$8,6 $6 ,##1$6 ’W0’ X-RGYW’ GY+YW’ !%$$8 WE2@ 4 XEZJ 4 G?C 4 !#$% #$% 肖特基结参数分析与电流运输机理研究! ! 王欣娟 张金凤 张进城 郝 跃 (西安电子科技大学,宽禁带半导体技术重点实验室,西安 #$$#) ( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿) %$$ #$ # %$$ #$ $ 通过对 器件肖特基栅电流输运机理的研究,在变温下采用 法对 上的 肖 ’()*+, )*+ -./0 !1 ’()*+, )*+ +2,’3 特基势垒高度和理想因子进行了计算 通过对不同电流机理的分立研究,得到了更为准确的势垒高度值 通过 4 ! 4 5 分析温度在 — 之间肖特基反向泄漏电流的特性,得出结论: 材料的表面漏电不是 器件反向泄 $$ 66$ 7 ’()*+ -./0 漏电流的主要来源4 关键词: 异质结,肖特基结,理想因子 ’()*+, )*+ : , ’!(( %8$. 9$: 电子发射,热电子场发射和场发射三种,随着工作温 #B 引 言 度的不同以及肖特基二极管的制作材料差异,其中 [] 一种或者两种将会起到主要的作用6 4 异质结的高电子迁移率晶体( ) ’()*+, )*+ -./0 0*@ 等人研究了’()*+, )*+ 异质结表面泄漏电 []

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