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gan异质结的二维表面态-journalofsemiconductors.pdf

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第卷第期半导体学报年月异质结的二维表面态薛舫时南京电子器件研究所南京提要提出了氮化物表面强极化电荷产生薄吸附层形成的二维表面态新模型从薛定谔方程和泊松方程的自洽计算中得到了新的二维表面态计算了不同吸附层能带带阶厚度和表面势下的表面状态研究了表面态与异质结构间的关联算得的表面能级同实验测量数据相吻合用该态模型解释了氮化物产生高密度表面态的原因和深表面能级与较浅的瞬态电流激活能间的矛盾关键词氮化物表面二维表面态极化吸附层电流崩塌中图分类号文献标识码文章编号速的指数衰变过程和一个缓变的非指数响应得出引

第 26 卷  第 10 期 半  导  体  学  报 Vol . 26  No . 10 2005 年 10 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S Oct . ,2005 Ga N 异质结的二维表面态 薛舫时

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