谐振腔发光二极管材料测试及器件设计.pdfVIP

摘要 曼曼曼曼曼曼曼曼曼皇曼曼曼曼曼I一一． II I — ：I；_．I皇曼曼曼 摘要 目前，远程光纤通信技术和网络经济得到了飞速的发展，与之相比，短程光 通信的发展却要慢得多。因此，短距离信息传输技术将是未来光电子技术应用的 重点领域，低价、长寿命和高可靠性的光发射器件是短距离光纤传输技术实用化 的关键。谐振腔发光二极管(RCLED)作为短程塑料光纤通信的光源，是介于 垂直腔面发射激光器和发光二极管之间的一个很好的折中，具有良好的市场应用 前景。从1992年提出RCLED概念和结构以来，其研究和发展就得到了普遍的 关注。本文对RCLED重点进行了材料分析和器件设计，具体工作如下： 首先对传统平面LED在外量子效率方面面临的问题进行分析，指出介质折 射率差产生的临界角是引起LED提取效率偏低的主要因素。RCLED相比传统 LED，有更高的发光效率、更窄的光谱半宽和更小的远场发散角，从而拓宽了发 光二极管的应用范围。 阐述了RCLED的F．P微腔理论，着重分析了组成谐振腔结构的重要组成一 一布拉格反射镜(DBR)。讨论了用于红光LED的DBR在材料选择、折射率计 算和光学性质等方面的特点。基于光学薄膜传输矩阵法模拟了反射率与DBR对 数的关系和DBR的反射谱，并给出了DBR对RCLED特性影响的理论分析。 用X射线双晶衍射和荧光光谱法等手段对用于RCLED中的半导体材料进行 了表征。为了了解RCLED器件结构中所用的不同外延材料的生长情况，实验中 用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长了不同材料的单层结构，并对其进 行了X射线双晶衍射实验和PL谱测试。用运动学等方法计算了单层材料的组分、 厚度以及晶格失配，并通过与动力学理论模拟结果的对比分析，为RCLED器件 的材料生长控制提供了参考。同时，生长了GaInP／A1GalnP量子阱结构，测试了 XRD摇摆曲线和PL谱。在单层材料生长的基础上，分别制备了RCLED的上下 DBR和谐振腔结构，测试了白光反射谱。由与模拟结果的比较分析，说明实验 生长的DBR及谐振腔结构均符合设计要求。 实验设计并成功制备了RCLED器件。基于理论设计，实验生长了三种分别 niilRCLED，通过对器件的光谱半宽、 有15、10和5对A1GaInP上DBR的650 光功率和光场分布进行的测试比较，得到15对上DBR的器件特性最好，在30mA mW。 注入电流下，其光谱半宽为13．4n／n，输出功率为0．63 mA增加到30mA时，RCLED的峰 RCLED和传统LED相比，当电流从3 nm 值波长仅增加1nin，光谱半宽增加了1．7nm，而传统LED则分别增加了7 和6．6 mA注入电流下，RCLED illn，可见RCLED有好的波长稳定性。在相同30 摘耍 光功率提高了30％，光谱半宽减小了5．2nm。在20mA电流下，RCLED的远场 发散角相比传统LED也减少了9。。 关键词AIGalnP；谐振腔发光二极管；布拉格反射镜；X射线双晶衍射 ABSTRACT Abstract withthe of distancefiber Comparingrapiddevelopmentlong optical andinternet distancecommunicationrather communication economy,shortlight