金属壁与介质窗之间次级电子倍增效应的研究.PDFVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 16 (2014) 167901 金属壁与介质窗之间次级电子倍增效应的研究 张雪 王勇 范俊杰 朱方 张瑞 1)(中国科学院电子学研究所, 中国科学院高功率微波源与技术重点实验室, 北京 100190) 2)(中国科学院大学, 北京 100149) ( 2014 年2 月18 日收到; 2014 年4 月28 日收到修改稿) 高功率盒形窗内的TM 模法向电场对次级电子倍增现象具有较大的影响, 特别是在介质窗片与金属波 导壁相对的区域, 易发生双面次级电子倍增. 采用蒙特卡罗粒子模拟方法, 研究了法向电场作用下氧化铝陶 瓷窗片与铜波导壁之间的双面倍增敏感曲线、倍增阈值电压、粒子数量的演变过程以及粒子运动轨迹. 通过对 相关参数的分析, 获得了金属壁与陶瓷窗片之间双面谐振倍增和非谐振倍增的规律以及双面倍增向单面倍增 转变的特点. 此研究可为分析窗片失效机理提供理论依据. 关键词: 盒形窗, 非谐振, 次级电子倍增, 蒙特卡罗模拟 PACS: 79.20.Hx, 79.20.Ap, 52.65.Pp, 84.40.Fe DOI: 10.7498/aps.63.167901 学技术大学的程国新913 和西北核技术所的蔡利 1 引 言 兵1415 在次级电子诱导窗片表面释气、等离子 体击穿等数值模拟方面做了很多工作. 清华 介质表面的次级电子倍增通常会对真空系统 大学的常超1618 则在次级电子倍增的抑制方 造成灾难性的影响. 次级电子的初始粒子源于场致 面提出了很多有效的方案. 次级电子倍增研 电子发射, 当这些初始粒子在适宜的场型下回轰器 究主要针对金属结构间隙处的法向场双面谐 件内表面时, 金属或介质表面会发射出大量的次级 振倍增和介质表面切向场单面倍增1920 , 而对 电子, 经电场加速后, 再次循环回轰和发射. 这种 高功率微波源的真空盒形窗内的次级电子倍增 电子的雪崩现象对微波陶瓷窗片的影响极为严重, 现象的研究却鲜有报道. 由于盒形窗轴向尺 如果没有有效的抑制手段, 窗片表面的电荷累积 寸的压缩, 使得窗片表面出现了TM 模法向电 和热能累积会导致器件的损毁. 从20 世纪50 年代 场, 其强度可与TE 传输模式场强相比拟, 在该 开始, 次级电子倍增已成为一个独立的研究方向, 模式和窗片表面正电荷累积形成的静电场Edc 并获得国外学者的广泛关注1 , 其中Vaughan2 对 共同作用下, 窗内次级电子倍增过程变得较为 早期理论的形成做出了很大的贡献. 文献[3, 4] 21 复杂 . 开展了电子倍增的理论分析以及数值模拟, 而文 盒形窗内的次级电子倍增是一个单双面混合 献[5, 6] 则通过实验对次级电子的倍增过程以及器 倍增过程, 本文的研究旨在探索法向电场单独作用 件损毁的机理进行了研究. 此外, 文献[7, 8] 也从材 下电子在陶瓷窗片和金属边界之间的倍增过程, 且 料科学的角度对次级电子倍增的抑制提出了很多 忽略了切向电场的影响. 利用动力学计算和蒙特卡 行之有效的方