第7章_CVD工序.doc

第七章 CVD工序 7.1 CVD工序的目的 7.2 CVD工艺的基本原理 7.3 CVD的设备构成和主要性能指标 7.4 CVD 工序的主要工艺参数和工艺质量评价 7.5特种气体供应管理系统 7.1 CVD工序的目的 7.1.1 CVD目的 在一定压强、温度条件下输入高频电压使气体源电离形成等离子体，在基板表面发生气相化学反应，生长出各种功能薄膜。 A(g) + B(g) energy C(s) + 副产物 7.1.1.1 CVD film介绍 Film Gas G-SiNX（GHGL） SiH4+NH3+H2 a-Si（AHAL） SiH4+H2 n＋a-Si（NP） SiH4+PH3+H2 P-SiNX（PV） SiH4+NH3+H2 7.1.1.2各层薄膜的功能 1. G: Gate SiNx （绝缘层） 作用：防止M1与I层导通 2. a-Si （半导体） 作用：导通层，电子在该层产生 3. N: N+ a-Si （掺杂半导体） 作用：降低界面电位差，降低I层与M2之间的电位差 4. Passivation (保护层) 作用：该层的作用是保护M2，防止其发生氧化，腐蚀 7.1.1.3生成各层的化学反应原理 （1）SiNX:H SiH4 + NH3 + N2 → SiNX: H （2） a-Si:H SiH4 + H2 → a-Si:H （3）n＋a-Si:H SiH4 + PH3 + H2 →n＋a-Si:H 7.2 CVD工艺的基本原理 通过前一章节的学习，我们应该对CVD的功能有了一定的了解，其实自从CVD镀膜技术被发现至今，已经得到了很大的发展，已经衍生出许多不同类型的CVD成膜方式。 按反应室内压力分： APCVD: Atmospheric pressure CVD SACVD: Sub Atmospheric pressure CVD LPCVD: Low Pressure CVD ULPCVD: Ultra-low pressure CVD UHV_CVD: Ultra-high vacuum CVD 按能量供给方式分： 热活化式：Thermally-activated CVD 等离子辅助式：Plasma Enhanced CVD (PE-CVD) 射频方式：（Radio Frequency CVD(RFCVD) 微波方式：（Microwave CVD) 电子回旋共振式：（Electron Cyclotron Resonance CVD) 引控式（Remote PCVD) 磁控式(Magnetic PCVD) 光辅助式：Photo-assisted CVD 雷射辅助式：Laser-induce CVD 下面将就PECVD系统构造、原理及特征等内容进行详细的说明，其他种类的CVD镀膜方式本节不做赘述： PECVD技术是上世纪70年代初发展起来的新工艺，主要是为了适应现代半导体工业的发展，制取优质介质膜。现代科技对半导体器件的可靠性和稳定性要求越来越高，为了防止器件制造过程中的表面玷污，必须进行表面钝化，用PECVD法制备的钝化膜的沉积实在低温下（200～400℃）进行的，钝化效果好，失效时间长，具有良好的热学和化学稳定性。80年代末随着TFT-LCD产业的兴起，PECVD技术在低温，大面积镀膜方向上具备其他CVD镀膜无可比拟的优势，进一步推进了平板显示业的发展，更新，基板尺寸更大的生产线被制造出来。平板显示产业也得以发生了革命性的变化。 7.2.1 等离子体增强型化学气相沉积系统（PECVD） 为了适应低温、大面积镀膜的需求，PECVD技术被越来越多地应用于TFT-LCD制造领域中。PECVD的沉积原理与一般的CVD之间没有太大的差异，电浆中的反应物是化学活性较高的离子或自由基，而且基板表面受到离子的撞击也会使得化学活性提高。这两项因素都可促进基板表面的化学反应速率，因此在较低的温度下可沉积薄膜。 PECVD乃是在真空中，导入反应气体而使用高频产生电浆与平行板电极之间，此时所产生的反应自由基将传达至基板表面，并产生表面反应而将其堆积成薄膜，所使用之原料气体为SiH4、PH3、NH3、H2等。通常基板是接地之阳极配置