第1讲 电力电子.ppt

第一章 电力电子技术的发展 1.1 电力电子技术的含义 ※ 电力电子技术的两大分支 ※ 与相关学科的关系 电力电子学 (Power Electronics)名称60年代 出现。 1974年，美国的W. Newell用图1的倒三角形对电力电子学进行了描述，被全世界普遍接受。 ※ 与相关学科的关系 ※ 与相关学科的关系 ※ 与相关学科的关系 1.2 电力电子设备的特性 电力——交流和直流两种 从公用电网直接得到的是交流，从蓄电池和干电池得到的是直流。 1.3 电力电子技术的发展史 1.4电力电子技术的发展方向和前景 1.5 电力电子技术的应用 1.5 电力电子技术的应用 第一章电力电子技术的发展 下 页 上 页 返 回 必须用强迫换相电路关断它，使得电路复杂、体积增大、重量增加、效率较低及可靠性下降； 器件的开关频率难以提高，限制了它的应用范围； 相位运行方式使电网及负载上产生严重的谐波，不但电路功率因数降低，而且对电网产生“公害”。 晶闸管 通过对门极控制可使其导通，但不能使其关断。 ※ 晶闸管的特点和不足之处 下 页 上 页 返 回 门极可关断晶闸管（GTO） 电力双极型晶体管（GTR） 电力场效应晶体管（Power MOSFET） 第一章电力电子技术的发展 自关断全控型器件 第二代 自关断全控型电力电子器件 第一章电力电子技术的发展 下 页 上 页 返 回 自关断全控型器件 通过对门极（基极、栅极）的控制既可以使其开通，又可以使其关断。 自关断全控型器件的开关速度普遍高于晶闸管，可以用于开关频率很高的电路。 第二代 自关断全控型电力电子器件 第一章电力电子技术的发展 下 页 上 页 返 回 大型达林顿双极结型晶体管(BJT) 给电力电子学带来很大发展。 电力场效应晶体管 绝缘栅双极型晶体管（IGBT） 代替了BJT IGBT是半导体器件的发展史上是重要的里程碑。是第三代复合型场控半导体器件的代表。 第三代 复合型场控半导体电力电子器件 第一章电力电子技术的发展 下 页 上 页 返 回 静电感应式晶体管（SIT） 静电感应式晶闸管（SITH） MOS晶闸管（MCT） 开关频率高 耐压性高 电流容量大 可以构成大功率、高频的电力电子电路。 IGBT开关频率比BJT高很多，在正向偏置安全工作区内可以不需要缓冲器。 IGBT模块（IPM）应用在内置门极驱动器。 具有沟槽栅技术的IGBT模块比二极管的导通压降稍高，具有较快的开关速度。 第一章电力电子技术的发展 下 页 上 页 返 回 MCT开关频率比IGBT模块低许多，应用到软开关变流器中时，不受RBSOA的限制。 集成门极换流晶闸管（IGCT）对普通GTO的结构、门极驱动、封装、集成的反并联二极管做出重大改进，并且改变了关断过程，极大地改善GTO的性能。 IGCT比GTO导通压降低，开关速度快，带有旁路二极管的单片集成电路，不用缓冲器操作，容易实现连续运行。 第三代 复合型场控半导体电力电子器件 第一章电力电子技术的发展 下 页 上 页 返 回 IGBT和IGCT改进了变换电路的设计，在三电平拓扑结构中广泛采用。 PWM可控VCS（电压源型变换器）降低线路中的谐波含量，提高功率因数。 以IGCT或IGBT做为开关器件的PWM型VSC，正在迅速取代普通GTO做为开关器件的VSC和电流源型变换器（CSC）。 第三代 复合型场控半导体电力电子器件 第一章电力电子技术的发展 下 页 上 页 返 回 双向控制晶闸管（bidirectional control thyristor－BCT）极大地保留了大功率变换器的钳位、内部结构和技术。 带有集成过电压保护的光控晶闸管（Light triggered thyristor）极大地简化了门极控制，提高了晶闸管应用在大功率、高电压中的可靠性。 晶闸管的发展 下 页 上 页 返 回 在高压、高温、高频以及低导通压降场合应用 功率范围大 击穿场强高 导热性高 饱和电子漂移速率高 对化学反应或高气压呈高惰性 辐射电阻高 碳化硅 第一章电力电子技术的发展 半导体材料的改进 下 页 上 页 返 回 碳化硅可以极大地降低通态和开关损耗，结温上升到600℃时也能运行。 肖特基和结势垒肖特基（JBS）二极管，阻断电压达到2000V。PIN二极管达到5kV。 碳化硅二极管可以大大减少二极管的关断损耗和开通损耗。 碳化硅晶片的密度是大功率器件的限制因素，利用碳化硅反向二极管对IGBT模块的改进，是一个重要研究课题。 第一章电力电子技术的发展 半导体材料的改进 下 页 上 页 返 回 第一章电力电子技术的发展 全控化 集成化 高频化 高效率化 变换器小型化 电源变换绿色化