Cr超薄膜在W衬底上结构及磁性的第一性原理分析研究.pdfVIP

中文摘要 薄膜材料的生长和吸附原子在表面上的扩散过程密切相关。已经知道扫描隧道显微镜 (STM)的乍-t尖和样品之间存在很强的电场，这一电场会对外来原子在样品表面的吸附位置和 散过程进行了动力学蒙特卡洛模拟，结果发现Ag原子在si(m)表面的扩散可以被外电场调 制。无电场时，Ag原子的稳定吸附位置为fcc位，此时的扩散路径有两条，～条沿着 二条扩散路径实际上是关闭的。而当电场增强到1．2v／A时，t叩位的能量降低到几乎与出c 位相等，此时第二条路径打开，扩散速率随之增加。外加电场强度达到2．0v／A时，top位 之急刷降低。 本文还从第一性原理出发对Cr超薄膜在w衬底上的结构与磁性进行了研究。首先需要 的Cr单层薄膜相对于扩散结构(即表面层和界面层的两个不等价原子中的一个发生互换) 而第二层薄膜的生长不规则。这些结论和都和实验相吻合。对原子结构的研究表明，上述两 d电子导致向内的力以及晶格失配三种冈素的共同作用。通过计算三种磁性结构的总能，确 定1ML l ML Cr／W(100)}llCr／W(1 构。在上述两个体系中都观察到了表面原子磁矩相对于块体的增强，表面Cr原子磁矩分别 劈裂也会对表面原_f磁矩产生影响，从而造成(110)面的表面原_f磁矩大_丁(100)面。 未经作者、’?■譬? 勿全支公面．’ 1 由于在STM应用中存在电场的因素，外加电场会对磁性产生何种影响也是人们所感兴 趣的。第一性原理计算发现当外加电场增强到一定程度后，对于磁性结构为州lxl)铁磁的l 由于电场存在导致电荷在多子带和少子带间的重新分布，从而引起磁矩改变。而对于磁性结 构为c(2xZ)反铁磁的1 磁和反铁磁结构对于外加电场的反麻截然不同，其原因有待进一步探讨。 II 英文摘要 The ofthinfilmis relatedtothediffusionofadatom．Itiswell growth closely knownthatthe electricfieldinSTMis tOinfuencethekineticsofthe strong expected adatomsdiffusiononsurfaces．Inorderto this adatom effect，the investigate Ag on 1 1)surfaceisstudiedkineticMonteCarlosimulation．Itisfound diffusingSi(1 by thatthediffusionon becontrolledanexternalelectricfield．If Si(111)could by ofAg field adsorbateon 1 thelowest atfcc noelectric Si(11)has energysite， applied，the Ag whilethe is for at site allothersites energyhi曲estAgtop among and zero aretwodominantdiffusionfor adatom bridgetop)．Atfield，there