传感器原理与应用 第八章8-2.ppt

P N R E - + Is 当光照射时，光敏二极管处于导通状态。 当光不照射时，光敏二极管处于截止状态。 R E - + I P N 2. 光敏三极管 集电结一边做得很大，以扩大光的照射面积，且基极一般不接引线。 P P N b e c N N P e b c 普通三极管 IC IB e EB EC IE RC Rb c b N N P 光敏三极管 IC IB e EB EC IE RC Rb c b N N P 基区很薄，基极一般不接引线； 集电极面积较大。 IC e EC IE RC c N N P b 当集电极加上正电压，基极开路 时，集电结处于反向偏置状态。 当光线照射在集电结的基区时， 产生电子、空穴对，光生电子被 拉到集电极，基区留下空穴，使 基极与发射极间的电压升高，相当于给发射结加了正向偏压，使电子大量流向集电极，形成输出电流，且集电极电流为光电流的?倍。 基本工作线路： c b e RL 3. 光敏晶体管的主要特性 (1) 光谱特性 存在一个最佳灵敏度波长 20 40 60 80 100 400 800 1200 1600 入射光 波长/nm 锗 硅 相对灵敏度（%） 0 (2) 伏安特性 0 1 2 3 4 5 外加电压(V) 20 40 60 80 I（mA) 2500Lx 2000Lx 1500Lx 1000Lx 500Lx 与一般晶体管在不同的基极电流时的输出特 性一样。只需把光电流看作基极电流即可。 (3) 光照特性 1.0 2.0 3.0 200 400 600 800 1000 Lx 0 I(μA) 故光敏三极管既可做线性转换元件， 也可做开关元件 近似线性关系。但光照足够大时会出现饱和现象。 (4) 温度特性 暗电流（mA) 10 30 50 70 0 25 50 oC 200 400 100 300 500 光电流（ μ A) 10 30 50 70 0 oC 温度变化对光电流的影响很小，对暗电流的影响很大。故电子线路中应对暗电流进行温度补偿。 (5) 频率特性 减小负载电阻可以提高响应频率，但将使输出降低。故使用时要根据频率选择最佳的负载电阻。硅管的响应频率比锗管的好。 20 40 60 80 100 相对灵敏度（%） f(kHZ) 1 10 100 0 RL=1kΩ RL=10kΩ RL=100kΩ 8.5 新型光电传感器 8.5.1 高速光电二极管 1. PIN结光电二极管 P I N P、N间加了层很厚的高电阻率 的本征半 导体I。P层做的很薄。 比普通的光电二极管施加较高的反偏压。 入射光照射在P层上， 因P层很薄，大量的 光被较厚的I层吸收， 激发较多的载流子形 成光电流；又PIN结 光电二极管比PN结光 电二极管施加较高的 反偏置电压，使其耗尽层加宽。当P型和N型半导体结合后，在交界处形成电子和空穴的浓度差别，因此N区的电子要向P区扩散，P区空穴向N区扩散 图8-28 PIN光电二极管 偏压 价带 导带 信号光 信号光 电极 电极 输出端 P I N P区一边失去空穴，留下带负电的杂质离子，N区一边失去电子，留下带正电的杂质离子，在PN交界面形成空间电荷，即在交界处形成了很薄的空间电荷区，在该区域中，多数载流子已扩散到对方而复合掉，即消耗尽了，耗尽层的电阻率很高。扩散越强，耗尽层越宽，PN结内电场越强，加速了光电子的定向运动，大大减小了漂移时间，因而提高了响应速度。PIN结光电二极管仍然具有一般PN结光电二极管的线性特性。 2.雪崩式光电二极管（APD） 在PN结的P区外增加一层掺杂浓度极高的P +层，且在其上加上高反偏压。 偏压 输出端 价带 导带 信号光 信号光 电极 电极 P+ I N 图8-29 雪崩式二极管 当光入射到PN结时， 光子被吸收而产生电子-空穴对。如果电压增加到使电场达到200 kV/cm以上，初始电子（一次电子）在高电场区获得足够能量而加速运动。高速运动的电子和晶格原子相碰撞， 使晶格原子电离，产生新的电子-空穴对。 新产生的二次电子再次和原子碰撞。如此多次碰撞，产生连锁反应，致使载流子雪崩式倍增， 8.5.2 色敏光电传感器 不同区域对不同波长分别具有不同灵敏度，浅结对紫外光灵敏度高。 N P 1 2 3 P+ 1 2 3 根据光学性能，不同颜色的光在不同的介质中的穿透能力不同。利用不同介质对某一色光的吸收，用这种色光去投射液体管道，根据接收到的光强来判断管道中的液流介质。 8.5.3 光固态图象传感器 光固态图象传感器由光敏元件阵列和电荷转移器件集合而成。它的核心是电荷转移器件CTD（Charge Transfer Device），最常用的是