光刻技术与光刻机.pdfVIP

中国集成电路 CIC 设备 ChinalntegratedCircult 光刻技术与光刻机 一、简介 F1.4 ）一次完成照射，所需照射时间较短；仅晶圆平 台移动，易控制准确度，较易对准。 光刻技术（!#$%’()$* ）被广泛运用于当今半导 缺点： 需较大透镜；光强度较强，透镜易受伤 体制程中。光刻技术可以用近紫外光（+,(’ -.#’(/ 害；对不平晶圆无法分割照射区域，聚焦深度受限等 0%.1#2 +-0 ）、中紫外光（34 -02 3-0 ）、深紫外光 效应。 （ ）、真空紫外光（ ）、 GD 扫描式 511) 602 560 07899: -;2 0-0 极短紫外光（ ）、 光（ ）等光 优点： 透镜可较小，成本低，易制造，像差少； =#’1:1 -02 -0 / /?7* 源对光刻胶进行照射。相关波长范围如图@ 所示。 可分割照射景域，对不平晶圆之聚焦深度长；扫描照 射面积大，适合大晶圆；光径移动，可平均投影透镜 系统之扭曲、曲率及像差等。对晶圆平坦性、聚焦误 差之宽容度皆较大。 缺点： 光强度较弱，照射主要由H.# 宽度与 扫描速度决定，照射时间较长；光掩模 平台与晶 =/* 圆=/*/I 平台须同步移动，对准较难。 图1 相关波长 二、光刻设备———光刻机 光刻机是半导体制程中光刻部分的最主要生产 机台之一，它甚至是决定整个半导体制程的核心机 图2 ASML Scanner结构简图 台！按其曝光方式来分可以分为步进!重复式（A#1)/ ），或简称步进式（ ）和步进 扫描 缩小倍率为 或 倍的光刻机将光掩模之图案 7B4/?1)17# A#1))1’ ! J K 式（A#1)/7B4/A87B ），或简称扫描式（A87BB1’ ）二种： 缩小后，在晶圆上形成 个照射景域（ @ =)%E9’1 CD 步进式 F1.4 ），使用 吋（ 毫米）光掩模，缩小 倍 L M@KN J 优点： 光强度较强，照射景域（=)%E9’1 （ ），照射景域约为 毫米 毫米，在此条件 J= NK = OO 2004·8·（总第６3期） http：// !