PID 产生的原理介绍及测试方法.pdf

Insert picture here 10 x 17 cm System voltage durability test 系统电压耐受测试 TÜ V SÜ D China Agenda 1 什么是PID? 2 造成PID的原因 3 实验研究数据 4 标准解读 Page 2 TÜ V SÜ D China 什么是PID? PID (Potential Induced Degradation) Test为电位诱发衰减测 试，也称之为System Voltage Durability Test。 PID最早是Sunpower在2005年发现的。组件长期在高电压作 用下使得玻璃、封装材料之间存在漏电流，大量电荷聚集在电池 片表面，使得电池片表面的钝化效果恶化，导致FF、Isc、Voc降 低，是组件性能低于设计标准。在2010年，NREL和Solon证实了 无论组件采用何种技术的p型晶硅电池片，组件在负偏压下都有 PID的风险。 Page 3 TÜ V SÜ D China 什么是PID? IEC 62804 Ed. 1.0 System voltage durability test for crystalline silicon modules – design Stage: PNW qualification and type approval Document: 82/685/NP 晶体硅组件系统电压耐受测试-设计鉴定 Date: 2011-12 与定型 Stage: ANW 此测试通过模拟条件来验证光伏组件在光 Document: 82/725/RVN 伏发电系统实际应用过程中的抗PID性能， Date: 2012-06 成为反映组件品质和性能可靠性的重要测 试项目之一。 Next stage: 1CD Decision Date: 2012-10 Page 4 TÜ V SÜ D China 什么是PID? These modules in a array had been used about three years, but there have very big degradation on Pmax. 阵列的这些组件使用大约3年时功率大幅下降。 Some EL Pictures