第四章半导体的导电性-朱俊-2011.ppt

考虑样品的尺寸：宽度b；厚度d VH为霍尔电压 ： 霍尔系数为： 在一定的外加磁场与电流下，测定霍尔电压，可得到 霍尔系数，从而可得到载流子浓度。 2. 霍尔角θ及空穴迁移率μ和电导率σ 横向霍尔电场的存在，使得在有垂直磁场下电场和电流 方向不在同一个方向上，两者之间有个夹角，即霍尔角。 εx εy qεy fL ε θ J 迁移率为： 分布函数f不随r变化 2、驰豫时间近似 微分积分方程 很复杂，很难解出！ 3、弱场近似下Boltzmann方程的解 外场取消，由于散射使得分布函数趋向fo，从 非平衡到平衡的过程就是弛豫过程 小量 Force 在考虑速度的统计 分布时，只要把τ 用统计平均代替就 可以。物理的意义 没有差别。 Vf0在k空间积分为零 §4.6 强电场下的效应 热载流子（了解） 电场不强时，J=σE 服从欧姆定律。σ 、μ 和电场无关。但强电场下，电导率不是常数 电导率 载流子浓度 迁移率 在强电场中，迁移率随电场的增加而发生变化，这种效应称为强电场效应。 平均漂移速度不再与电场成正比 在强电场作用下欧姆定律发生偏离，迁移率随电 场增加而下降，速度随电场增加的速率开始减慢 ，最后达到饱和漂移速度 。 在强电场下，载流子获得的能量比其传给晶格的 更多，载流子平均能量比热平衡状态时大，因而 载流子与晶格系统不再处于热平衡状态，人们便 引进载流子有效温度Te来描述与与晶格系统不处 于热平衡状态的载流子，称之为热载流子。 欧姆定律偏移现象可用热载流子与晶格散射来 加以解释： 当电场不是很强时，载流子主要是和声学波散射， 迁移率有所降低。 当电场进一步加强，载流子能量高到可以和光学波 声子能量相比时，散射时可以发射光学波声子，于 是载流子获得的能量大部分又消失，因而平均漂移 速度可以达到饱和。 平均漂移速度 ： 在一定温度 下是定值 基本不变 基本不变 载流子 晶格 能量交换 无电场时，载流子与晶格散射时，将吸收声子或发射声子，与晶格交换动量和能量，最终达到热平衡，载流子的平均能量与晶格相同，两者处于同一温度。 2. 散射理论(了解，自学） 有电场时，载流子从电场中获得能量，随后又以声子的形式将能量传给晶格。 平均地说，载流子发射的声子数多于吸收的声子数。 单位时间载流子从电场中获得的能量同给与晶格的能量相同 在强电场下： 载流子的平均能量热平衡状态时的 载流子和晶格系统不再处于热平衡状态 载流子温度Te 晶格温度Tl 电场不是很强时： 载流子 声学波 电场进一步增强后： 载流子 光学波 极值点在坐标原点： mn*=0.068mo 极值点在(100)： mn*=1.2mo 称此效应为负阻效应 §4.6 多能谷散射 耿氏效应 （了解） 由于GaAs材料导带具有多能谷结构，而最低能谷和 次低能谷间的能量间隔较小，当电场强度达到一定 程度时，最低能谷的电子从电场中获得能量，使其 与次能谷的能量相当时，即会发生谷间散射，低能 谷 中的电子向高能谷中转移，并且随电场的进一步 增加，转移的电子越多，高能谷中的电子的有效质 量远大于低能谷的有效质量，两个能谷中的电子的 迁移率不同，高能谷的电子的迁移率很小，当电子 从低能谷转移到高能谷时，电子的平均漂移速度减 小，电导下降，因而在这个区域内会出现微分负电 阻现象。 §4-7 半导体的霍尔效应 一、P型半导体霍尔效应 1. P型半导体霍耳效应的形成过程 Bz d b VH I l B A z y x ○ + _ fεx fL f εy 电场力：fε=qεx 磁场力：fL=qVxBz y方向的电场强度为：εy 平衡后： fεx fL qεy 令： （RH）P为P型材料的霍尔系数 + + + - + + + + - - + + + - - - + - - - - + - - - + + + - + + + + - - + + + + + + - + + + + - - + + + - - - + - - - - + - - - + - + - + 纵光学波 离子晶体 极化场 纵光学波的散射几率Po: 所以，晶格格波散射几率Pc 为： 和平均声子数相关 低温时声子数少散 射弱，所以，光学 波在高温时散射作 用明显。 对原子晶体： 主要是纵声学波散射； 对离子晶体： 主要是纵光学波散射。 低温时，主要是电离杂质的散射； 高温时，主要是晶格散射。 (3)其它散射机构 （a）等同能谷间散射——高温下显著 谷间散射：电子在等同能谷中从一个极值附近散射到另一个极值附近的散射。如硅的导带具有极值能量相同的六个等能面，载