用经验紧束缚近似方法研究硅表面氢化特性及其对同质生长的影响.pdfVIP

用经验紧束缚近似方法研究硅表面氢化特性及其对同质生长的影响 第一章序言 是成键的(成键模型)，另一种是不成键的(不成键模型)。扭结是台阶上凸出来或凹 进去的地方。在室温下SA通常很直，偶尔有几个扭结。而在sB上通常能看到很多扭 结，它很粗糙。随着温度上升，Si(100)面上的台阶边缘将移动，扭结将随之变迁。一 个二聚体深度的扭结没有在实验中观察到过。 图1Si(100)表面的STM图 表面硅原子的二聚化仅使每个硅原子减少了一个悬挂键，还有一个仍未得到饱 和，所以表面上的硅原子仍能吸附附加原子，较为常见的是氢原子。这是因为在硅单 晶的生长及提纯等工艺过程中，经常使用硅氢化合物(如硅烷等)和氢气，如在使用 化学气相沉积或分子柬外延生长薄膜时，常使用氢气作为保护气，使基底表面氢化。 同时在空气和水蒸气中都有氢的存在，在实际操作过程中都不可避免地引入氢。 H．terminated Si(100)表面的结构在理论上较为成熟的模型有三种，它们分别是 H-terminated X Si(100)-(100)-(2×1)，H-terminatedSi000)-(1 X Si(100)．(3 的混合相(1．33ML)。(如图2) 用经验紧束缚近似方法研究硅表面氢化特性及其对同质生长的影响 第一章序言 (c) 图2(a)H-terminatedSi(100)-(2x1)表面，(b)H-terminated Si(100)-(1×1)表面结构侧视图。图中灰色大球为si原子，黑色小球为H原子。长度单位为 A。 近年来，由于半导体器件朝轻薄短小发展，纳米材料已成为开拓新一代功能器件 的研究前沿。从技术应用来看，器件的物理性质完全依赖于纳米结构的形状、尺寸及 分布。对各种制造工艺的控制和改进也必须依赖于原子水平上薄膜生长中各种复杂原 子动力学过程的了解，例如在清洁的硅表面上附加锗原子的生长过程并不是单纯的沉 积扩散，不仅包括附加原子的俘获、扩散，还包括化学键的断裂，重新复合，以及原 子的渗透扩散等过程。这方面的基础研究成果对于纳米结构的形成和控制都十分重 要，将促进新一代微电子和光电子技术的发展。 氢对硅表面结构及附加原子的生长速度、生长方向等均有较大影响，因此研究氢 化硅表面的特性对硅基材料的生长有重要指导意义。本文将用经验紧束缚近似方法来 Si(100) 表面的结构，以及附加硅原子在H．terminated Si(100)表面和表面单空位附近的沉积扩 散，并将详细讨论它们的吸附和扩散行为。 4 用经验紧束缚近似方法研究硅表面氢化特性及其对同质生长的影响 第二章理论与方法 第二章理论与方法 2．1计算机模拟的方法和商业计算软件简介 1946年世界上第一台计算机诞生于美国的宾夕法尼亚大学。当时正值第二次世 界大战时期，美国在研制原子弹的过程中，要求准确地计算出与核爆炸有关的问题， 迫切需要解决在瞬时发生的最复杂的物理过程的计算。然而这是采用传统的解析方 法求解或手工数值计算根本办不到的。一些自然定律具有用方程式表示的某些奇异 的特点，而这些方程除了在少数很特殊的情况下，才能精确求解。如果要想考察多 于两个相互作用的物体的运动，即使是最简单的牛顿力学定律也变得基本上不能求 解。也就是说，这些方程不能仅用铅笔和纸解析求解。然而用计算机可以得到任意 所需准确度的答案。 计算机模拟既不是实验方法，也不是理论方法。它是在实验的基础上，通过基 本原理，构筑起一套模型和算法，模拟各种物理问题和实验结果。通过将模拟结果 与实验数据进行比较，可以检验模型的准确性。也可以检验由模型导出的解析理论 所作的简化近似是否成功。因此计算机模拟起的