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热交换法生长c面取向大尺寸蓝宝石晶体的研究 张雪平 湖南大学物理与微电子科学学院,长沙410082 摘要:本文使用热交换法直接生长c面取向,尺寸为φ170 mm× 160 mm,重12 kg的蓝宝石晶体。晶体无色透明,内 部无散射颗粒。沿c面(0001)方向的晶棒锥光图可观察到同心圆簇的干涉条纹,仅中心较小区域因内应力存在, 干涉条纹发生扭曲。将抛光的晶片进行化学腐蚀后,通过金相显微镜检测位错腐蚀坑形貌图,结果显示,腐蚀坑呈 三角形,平均位错密度较低,为1.98 × 103 Pits/cm2,X射线衍射半峰宽较小,晶体结构完整。 蓝宝石晶体;热交换法;c向生长;位错密度 O78 A 1000-985X(2012)03-0584-04 Study on c-plane Large Size Sapphire Growth by Heat-exchange Method ZHANG Xue-ping 2012-02-15 张雪平(1987-),女,四川省人,硕士研究生。E-mail:zxphnu@ 126.com 2 晶体生长 第41卷 @@[1]于旭东,孙广年.蓝宝石晶体的生长方向研究[J].人工晶体学报,2006,35(2):431-434. Yu x D, Sun G N. Study on the Growth Direction of Sapphire Single Crystal [ J ]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35 (2) : 431-434 ( in Chinese). @@[2]邹蒙,范志达,李楠,等.坩埚下降法生长白宝石晶体的研究[J].人工晶体学报,2000,29(1):42-44. Zou M, Fan Z D, Li N et al. Investigation on Growth of Sapphire Crystals by Vertical Bridgman Technique[ J ]. Journal of Synthetic Crysals, 2000,29( 1 ) :42-44(in Chinese). @@[3]王崇鲁.白宝石单晶[M].天津:天津科学技术出版社,1983. @@[4] 吕海涛,张维连,左燕,等.化学腐蚀法研究蓝宝石单晶中的位错缺陷[J].半导体技术,2004,29(4):48-51. Lv H D, Zhang W L, Zuo Y et al, Study on the Dislocation of the Sapphire Crystal with Chemical Etching[ J]. Semiconductor Technology,2004, 29(4) :48-51. ( in Chinese). @@[5]柯立峰,黎建明,苏小平,等.热交换法生长蓝宝石晶体的位错研究[J].人工晶体学报,2009,38(3):625-628. Ke L F, Li J M, Su X P et al, Research of Dislocation of Sapphire Crystals Grown by Heat-exchange Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2009,38(3) :625-628(in Chinese). @@[6]李树堂.晶体X射线衍射学基础[M].北京:冶金工业出版社,1990. ·信 息·

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