电磁波及三级项目——波导分支接头的HFSS仿真设计.pptx

微波与电磁场三级项目——基于HFSS波导分支接头的电磁仿真设计14-通信工程4班3组小组成员组长张曌组员郑岚方陈春马欢蒲琼组员组员邱悦组员组员组员信号的截取过程讨论内容双T分支H-T分支E-T分支HFSS仿真分析整体流程创建工程及运行环境创建模型求解设置设计验证运行HFSS仿真确定模型设计参数的变量创建图表结果参数扫描与变量优化HFSS仿真分析整体流程图Coulombs lawE-T分支01模型设计的整体流程建立三维模型建立波导端口激励分析不同端口输入激励的场覆盖情况场求解分析建立三维模型1结构描述E—T分支的分支波导延伸方向与主波导中TE10模的电场平面平行。把主波导两臂端口令为①和②，分支臂端口为③。为了使用方便，E—T分支的结构总是作成对称的，即主波导的两臂长相等。23HFSS仿真设计E-T分支11.尺寸设计2（1）以BJ-100型波导为例，设置该分支接头的尺寸为height=10.160mm，width=22.860mm（2）采用单模传输，即导行TE10模，根据公式可求得6.56GHz~13.12GHz，而实际中主模频率范围8.20~12.5Ghz，衰减频率9.84Ghz，因此，我们选择的传输频率为8.2GHz3HFSS仿真设计E-T分支13、建立波导端口激励2、选择材料（即模型内填充物）设置顶端为端口P1，输入激励端口，能量为1W；两侧分别P2、P3，输出端口。用三维模型材料工具栏，选择真空23HFSS仿真分析及场求解原理11、通过HFSS可以获取的信息2、某空间内的场求解3、激励：端口求解求解原理：2D-FEM形式：自适应网格（边界条件）1、矩阵数据：S、Y、Z参数和VSWR（匹配）2、相关的场：2D/3D近场－远场图电场、磁场、电流（体/面电流）、功率、SAR辐射求解类型：Full-wave求解原理：3D有限元法（FEM）网格类型：等角的网格单元：正四面体网格剖分形式：自适应网格(Adaptive Meshing)23自适应网格剖分自适应网格剖分原理基于自适应网格剖分的场求解过程自适应网格剖分是在误差大的区域内对网格多次迭代细化的求解过程，利用网格剖分结果来计算在求解频率激励下存在于结构内部的电磁场。初始网格是基于单频波长进行的粗剖分，然后进行自适应分析，利用粗剖分对象计算的有限元解来估计在问题域中的哪些区域其精确解会有很大的误差（收敛性判断），再对这些区域的四面体网格进行细化（进一步迭代），并产生新的解，重新计算误差，重复迭代过程（求解—误差分析（收敛性判断）—自适应细化网格）直到满足收敛标准或达到最大迭代步数。如果正在进行扫频，则对其他频点求解问题不再进一步细化网格。312图1.2.2 自适应网格（总体与局部）E-T接头传输TE10模的理论分析情况——理论分析23当信号由③口入时，①和②口都有输出且幅度相同相位相反。HFSS仿真结果分析1仿真结果——场覆盖图仿真结果——S矩阵如图所示当TE10自E臂输入时，两主臂有等幅反相信号输出。23分析不同端口输入激励的场覆盖情况情况1——理论分析情况2——理论分析两主臂等幅反相输入，E臂输出23当信号由①和②端口等幅反相输入时，在端口③的对称面上，电场为同相相加，端口③的输出最大。信号由①和②口同相输入时，在③口的对称面上，电场为反相相减，端口③的输出最小；分析不同端口输入激励的场覆盖情况情况1——场覆盖图情况2——场覆盖图两主臂等幅同相输入，E臂无输出。两主臂等幅反相输入，E臂输出23biot-savart law H-T分支接头设计及优化02建立三维模型1结构描述1H-T分支是在主波导窄边面上的分支, 其轴线平行于主波导TE10模的磁场方向, 其结构及等效电路如图 所示, 可见H-T分支相当于并联于主波导的分支线。 3HFSS仿真设计H-T分支14、建立波导端口激励1、尺寸设计3、增加隔片2、材料的选择2长方体材料属性保持为真空设置垂直放置的一端为端口P1，输入激励端口，能量为1W；两侧分别P2、P3，输出端口。Xsize：0.45，Ysize：0.1, Zsize:0.4，单位为英寸由三个尺寸为2*0.9*0.4英寸的长方体组成3HFSS仿真结果分析1仿真结果——场覆盖图如图所示当TE10自H臂输入时，两主臂有等幅同相信号输出。23T型波导的优化设计的目标（1）分析工作频率在10GHz时，T型波导三个端口的能量大小关系随隔片位置变化的关系；（2）利用HFSS优化设计功能使得端口三输出能量是端口而能量的2倍。123T型波导的优化设计的方法11、目标函数2、设计目标3、确定优化范围根据各端口能量随隔片位置变化的曲线，可大致确定最优隔片位置，以缩小优化求解释扫描范围，减少逐次迭代的运算量。端口3能量-端口2能量*2=0可接受的误差小于0.0001mag(S(port