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单晶硅生产流程分析 图1 单晶硅生产流程 单晶炉 1.单晶炉的组成 2.工作环境要求 为了保证产品质量以及设备的正常运转，直拉单晶炉对工作环境有以下要求： (1) 周边环境： a)工厂周围气候事宜、空气湿度小、风沙少，邻近没有其他工业排放的烟雾、粉尘及有害、有毒和腐蚀性气体。 b)坏境安静，没有严重的震动（如没有行驶重型汽车的公路、地震等）传递到设备处，避免拉晶时引起液面颤动。 c)水源充足，水质较好。有足够的水量供冷却炉体使用，即使采用循环水，每天也要补足循环水的正常损耗。 d)电源线路可靠，一般均需配置双回路供电系统，同时采用相应措施，对供电网络的接地系统（采用三芯五线制或三芯四线制供电）和抗电磁干扰等进行谐波治理。除了有计划地停电外，不能发生停电事故。电源电压稳定，波动值符合设备要求，电源质量符合国家供电标准。 e)三废（废水、废气、废物）处理系统对各种酸、碱、有机溶液及有害气体的排放不允许出现任何的处理停顿状态。 (2)室内环境 a)单晶炉安装房间高度要满足吊装维修要求，目前装料量在90kg的炉型安装高度要求7.5m以上。炉体周围要设置防震隔离带。炉体安装地基要按厂家说明施工稳固可靠，调试后各种功能技术指标满足出厂要求。 b)室内有空调设施，以舒适性空调为主，温度控制在22～25℃左右，相对湿度60%～70%。空调、排风24小时连续运行。 c)工作室内设备摆放合理，符合安全要求，照明充足而柔和；设备表面、墙面、桌面清洁、无灰尘。半导体工厂对工作室都有一定的洁净度要求，一定要保持高纯卫生。 d)工作人必须穿戴好工作服、工作帽、工作鞋，进行文明生产。 3.土建 4.安装注意事项 （运输、吊车、安装顺序、 ） 二、单晶炉的热系统及热场 1.热系统 单晶炉的热系统是指为了融化硅料，并保持在一定温度下进行单晶生长的整个系统，它包括加热器、保温罩、保温盖、托碗（石墨坩埚）、电极等部件 不同规格热系统坩埚装料量比较表 系统规格/in 16 18 20 22 24 坩埚直径/in 16 18 20 22 24 坩埚高度/in 12 14 15 15 15 晶体直径/in φ5～6 φ6 φ6～8 φ8 φ8～10 装料量/kg 45 60 95 130 160 二、硅原料 这里讲的“硅原料”指准备装入石英坩埚中进行单晶拉制的原料，包括还原法多晶硅、硅烷法多晶硅、区熔单晶头尾料、锅底料、硅片回收料等。 项目 多晶硅等级 一级品 二级品 三级品 N型电阻率/Ω·cm ≥300 ≥200 ≥100 P型电阻率/Ω·cm ≥3000 ≥2000 ≥1000 碳浓度（at/cm3） ≥1.5×1016 ≥2×1016 ≥2×1016 N型少数载流子寿命/us ≥500 ≥300 ≥100 图4 多晶硅纯度 1.太阳能级硅原料技术要求 1.1等级 太阳能级多晶的应符合的规定项目 太阳能级多晶等级 1级品 2级品 3级品 电阻率，Ω·cm ≥0 ≥40 ≥20 基硼电阻率，Ω·cm ≥500≥200 ≥100 少数载流子寿命，μs ≥100 ≥50 ≥0 氧浓度，at/cm3 ≤1.0×1017 ≤1.0×1017 ≤1.5×1017 碳浓度，at/cm3 ≤2.5×1016 ≤4.0×1016 ≤4.5×1016 项目 太阳能级多晶等级 1级品 2级品 3级品 ≤1.5 ≤5.4 ≤50.4 受主杂质浓度ppba ≤0.5 ≤2.7 ≤27 基体金属杂质，ppmw Fe、Cr、Ni、Cu、ZnTMI(Total metal impurities)总金属杂质含量：≤0.05 Fe、Cr、Ni、Cu、ZnTMI(Total metal impurities)总金属杂质含量：≤0.1 Fe、Cr、Ni、Cu、ZnTMI(Total metal impurities)总金属杂质含量：≤0.2 注： 1，基体金属杂质 图5 1.2尺寸范围 破碎的块状多晶具有无规则的形状和随机尺寸分布，其线性尺寸最小为mm，最大为00mm。 块状多晶硅的尺寸分布范围为： ～25mm的最多占重量的15%； 25～0mm的占重量的15%～35%； 0～00mm的最少占重量的65%。～棒状多晶硅的直径、长度尺寸由供需双方商定。结构及表面质量 块状、棒状多晶结构应致密。 多晶硅免洗或经过表面清洗，都应使其达到直接使用要求。所有多晶硅的外观应无色班、变色，无可见的污染物和氧化的外表面。Calisolar 美国 DC Chemical 韩国 DOW corning 美国 Elkem Solar 挪威 Hemlock semicondutor  滚磨 样片测试 硅片清洗、甩干 硅片脱胶、取样 线锯卸片 线锯切片