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光学浮区法生长Si∶β-Ga2O3单晶及其光谱研究.pdf
第42卷第4期 人 工 晶 体 学 报 v01．42No．4
垫!兰生兰旦 』Q旦娶丛垒垦Q!墼笪幽垦鱼墅笪坠堡 垒型：垫!兰
光学浮区法生长Si：B-Ga203单晶及其光谱研究
王璐璐1”，夏长泰1，赛青林1”，狄聚青1”，牟菲1，2
(I．中国科学院上海光学精密机械研究所，上海201800；2．中国科学院大学，北京100049)
摘要：采用浮区法生长了质量较好的Si：B·Ca20，单晶，直径约为8衄，长度约为2cm。进行了x射线粉末衍射和
nm，并分析了退火对吸收截止边的影响；测试了荧光发射谱，研究
试了Si：B-Ga20，吸收光谱，吸收截止边约为255
了不同激发波长对其紫外及紫色波段发光的影响。
关t词：si：B-G屯03；浮区法；光谱
中圈分类号：078 文献标识码：A
Growthand of
OpticalProperties
Si：pGa203
Crystal ZoneMethod
single bynoating
WANG Feil·2
Lu—lul，2，XIA
Chang-tail，SMQing-linl’2，DIJu-qin91·2，MOU
InlRitllteof Fine of
(1．Shanghai otai∞andMechanics，ChineseSciences，Shanghai201800，China；
Academy
Chinese of
2．University《theAcademySciences，BeijiIlg100049，China)
(船谢谢17May2012，∞印‘耐14August2012)
about20innl and8mslin the zone
Abstract：B-Ga203，withlength diameter，WaSgrownby no．tins
fortheobtained that
technique．XBD single showedthe tothemonoclinic
pattem crystal crystalbelongs
resultsrevealedthatthere isSiinthe be
crystalsystem．XRFanalysis obtained could
exactly crystal．It
observedthatthe isabout255Ill the isalso
absorptionedse absorption
by spectr
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