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第一章和第六章各一道大题 第四章第五章各三道类型题 第二章不考大题 第三章从白本上出个类型题 第七章要求知道肖特基和PN型二极管的区别 例3 某一半导体材料价带中电子的E－k关系为: E＝-1.016x10-34k2（J），其中零点取在价带顶。  此时若k=106cm-1处的电子被激发到迅速而在该处  产生一个空穴，试求此空穴:(1)有效质量 ( 2)波矢 (3)准动量 (4)共有化运动速度 (5)能量 解：(1) (2)kh=-ke=-1X106cm-1 第四章 习题解答 1. 2　试计算本征Si在室温时的电阻率。设T＝300k下，Si中的 电子和空穴的迁移率分别为1350和500cm2/(Vs),当掺入百万 分之一的As后，设杂质全部电离，试计算其电导率比本征Si增 大多少倍？ 解：已知： 已知硅的原子密度为5X1022/cm3,则掺入的As的浓度为： 当杂质浓度ND=5X1016时，电子迁移率为： 忽略少子空穴对导电的贡献，故： 2.解： Si的原子密度为1022/cm3 掺入As：ND=1022×10-6=1016/cm3 杂质完全电离 n=ND 3.解： ∴μp与掺杂无关， 8. 根据图4－15电阻率与杂质浓度关系曲线也可得到 n 13. P180 4.已知：t=20μs, τ=10μs 解： 第五章 习题解答 13．已知：P型Ge，τn=350μs，μn=3600cm2/V·s 解： 14．已知：空穴浓度线性分布，在3μm内浓度差为1015/cm3，μp=400cm2/V·s 解： 16．已知：ρ=3Ω·cm，N型Si，τp=5μs，(△p)o=1013/cm3 解：∵ρ=3Ω·cm，查图表可知：ND1017/cm3 ∴μp=500cm2/V·s 当 时： 1.解： 第六章 4. 肖特基势垒二极管与pn结二极管的比较 1　反向饱和电流密度的数量级 SBD： 理想pn: Schottky二极管与p-n结具有类似的伏安特性, 只是 用热发射(速度是vc) 代替了少数载流子的扩散(速度是D/L); 而vc比D/L要大几个数量级。 对同样Vbi, Schottky二极管的电流要比p-n结二极管的大几个数量级, 相应的导通电压也比较低。