川大数电第3章.ppt

半导体二极管图片 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 二极管是一种非线性器件，因而其电路一般要采用非线性电路的分析方法，相对来说比较复杂，而图解分析法则较简单，但前提条件是已知二极管的V -I 特性曲线。 例3.4.1 电路如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。 解：由电路的KVL方程，可得 即 是一条斜率为-1/R的直线，称为负载线 Q的坐标值（VD，ID）即为所求。Q点称为电路的工作点 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 1.二极管V-I 特性的建模 将指数模型 分段线性化，得到二极管特性的等效模型。 （1）理想模型 （a）V-I特性 （b）代表符号 （c）正向偏置时的电路模型 （d）反向偏置时的电路模型 （2）恒压降模型 （a）V-I特性 （b）电路模型 （3）折线模型 （a）V-I特性 （b）电路模型 =0.5v vD=Vth+rDiD （4）小信号模型 vs =0 时, Q点称为静态工作点 ，反映直流时的工作状态。 vs =Vmsin?t 时（VmVDD）, 将Q点附近小范围内的V-I 特性线性化，得到小信号模型，即以Q点为切点的一条直线。 过Q点的切线可以等效成一个微变电阻 即 根据 得Q点处的微变电导 常温下（T=300K） 则 （a）V-I特性 （b）电路模型 特别注意： 小信号模型中的微变电阻rd与静态工作点Q有关。 该模型用于二极管处于正向偏置条件下，且vDVT 。 2．模型分析法应用举例 （1）整流电路 （a）电路图 （b）vs和vO的波形 （2）静态工作情况分析 理想模型 （R=10k?） 当VDD=10V 时， 恒压模型 （硅二极管典型值） 折线模型 （硅二极管典型值） 设 当VDD=1V 时,分析方法同上 （a）简单二极管电路 （b）习惯画法 （3）限幅电路 电路如图，R = 1kΩ，VREF = 3V，二极管为硅二极管。分别用理想模型和恒压降模型求解，当vI = 6sin?t V时，绘出相应的输出电压vO的波形。 双向 限幅电路 在开关电路中，判断二极管是导通的还是截止的方法如下： ??????? 对于单只二极管而言，首先将二极管断开，进行计算VP、VN的电压值，若VP＞VN，则二极管是导通的；若VP＜VN，则二极管是截止的。 ????? 对于并联二极管而言，首先将二极管断开，分别进行计算VPi、VNi的电压值，max(VPi、VNi)并且大于0，则正向电压值大的二极管先导通，余下的被钳位。 导通管的压降看做常值（硅0.7V，锗0.2V）或0V（理想二极管）；截止管所在支路看做断开，电路中所有二极管判明后，进一步计算所要求的各物理量。 （4）开关电路 电路如图所示，求AO的电压值 解： 先断开D，以O为基准电位， 即O点为0V。 则接D阳极的电位为-6V，接阴极的电位为-12V。 阳极电位高于阴极电位，D接入时正向导通。 导通后，D的压降等于零，即A点的电位就是D阳极的电位。 所以，AO的电压值为-6V。 例: 例： 理想二极管，求VAO 解：(c) VPN1=12V, VPN2=－3V,则D1 导通，D2截止。VAO=0V。 (d) VPN1=12V, VPN2=18V,则D2先导通，D2导通以后，VAO=－6V，此时D1处于截止状态。 例： 判断D导通还是截止？ 解： 例： 理想模型 输入电压为0V或5V 求输入值的不同组合下，输出电压值。 (5）小信号工作情况分析 图示电路中，VDD = 5V，R = 5k?，恒压降模型的VD=0.7V，vs = 0.1sinwt V。（1）求输出电压vO的交流量和总量；（2）绘出vO的波形。 直流通路、交流通路、静态、动态等概念，在放大电路的分析中非常重要。 例： VI正常值为10V，R=10KΩ， 求VI变化±1V时，相应的输出电压的变动。 解： 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管(稳压二极管) 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.1 光电子器件 3.5.1 齐纳二极管 1. 符号及稳压特性 利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态。 (a)符号 (b) 伏安特性 (c)应用电路 (b) (a) (c) * 3.1