电工电子技术之第七章半导体器件.pptVIP

光电二极管 又叫光敏二极管，在其管壳上开有一个嵌着玻璃的 小口，便于光线射入。 工作在反向截止状态，反向电流随光照强度的增加 而上升。 常用作测量光的强度，光电传感器、烟雾探测器（光电）等。 7.4 半导体三极管 NPN型 PNP型 B E C 基极 发射极 集电极 N N P P P N B E C 发射极 集电极 基极 一、三极管的基本结构 B E C 基极 发射极 集电极 N N P 发射结 集电结 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 B E C 基极 发射极 集电极 N N P 1. 放大状态 B E C N N P EB RB Ec RC 二、三极管的工作原理 放大的条件：发射结正偏，集电结反偏 EB保证发射结正偏，ECEB保证集电结反偏。 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IB ，多数扩散到集电结。 B E C N N P EB RB Ec 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 IE IB RC IB 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成IC。 B E C N N P EB RB Ec IE IC IB IC RC IB B E C IB IE IC B E C IB IE IC PNP型三极管 注意！ 只有：发射结正偏，集电结反偏，晶体管才能工作在放大状态。 NPN型三极管 ② ① ③ 3V 3.7V 8V 例题 判断三极管类型（NPN、PNP），硅管还是锗管，并确定基极、集电极、发射极。 ② ① ③ -3V 2V 2.3V ② ① ③ -0.8v 6v -1v 2. 饱和状态 当三极管的UCEUBE时，BC结处于正向偏置，此时，即使再增加IB，IC也不会增加了。?饱和状态 饱和的三极管相当于一个闭合的开关 3. 截止状态 当三极管的UBEUT时，BE结处于反向偏置。 ?截止状态 饱和的三极管相当于一个断开的开关 7.2 PN结及其单向导电性 7.3 半导体二极管 7.6 晶闸管 半导体器件 7.4 半导体三极管 7.5 场效应管 7.1 半导体的基本知识 7.1 半导体的基本知识 基础知识 导 体: 自然界中很容易导电的物质.例如金属。 绝缘体：电阻率很高的物质，几乎不导电;如橡皮、陶瓷、塑料和石英等。 半导体：导电特性处于导体和绝缘体之间的物质， 例如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等 半导体的特点 当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力 明显改变。 电子电路中常用的半导体器件有二极管、三极管、 场效应管、晶闸管等。 一. 本征半导体 Ge Si 纯净的半导体。如：硅和锗 1）.最外层四个价电子。 2）.共价键结构 +4 +4 +4 +4 共价键共用电子对 +4表示除去价电子后的原子 在其它力的作用下，空穴吸引临近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。 +4 +4 +4 +4 3）.自由电子和空穴 本征半导体中存在数量相等的两种载流子， 即自由电子和空穴。 温度越高?载流子的浓度越高?本征 半导体的导电能力越强。 本征半导体的导电能力取决于载流子 的浓度。 归纳 ? ? ? 二. 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量杂质。 1）N型半导体 在硅或锗晶体（四价）中掺入少量的五价 元素磷，使自由电子浓度大大增加。 +4 +4 +5 +4 N型半导体 多余电子 磷原子 多数载流子（多子）：电子。取决于掺杂浓度； 少数载流子（少子）：空穴。取决于温度。 2）P型半导体 在硅或锗晶体（四价）中掺入少量的三价元素硼。 多子：空穴。 取决于掺杂浓度； 少子：电子。取决于温度。 +4 +4 +3 +4 空穴 硼原子 归纳 3、杂质半导体中起导电作用的主要是多子。 4、N型半导体中电子是多子，空穴是少子； P型半导体中空穴是多子，电子是少子。 1、杂质半导体中两种载流子浓度不同，分为 多数载流子和少数载流子（简称多子、少子）。 2、杂质半导体中多数载流子的数量取决于掺杂 浓度，少数载流子的数量取决于温度。 ◆ ◆ ◆ ◆ 7.2 PN结及其单向导电性 一、PN 结的形成 通过现代工艺，在一块本征半导体基片上，一边形成P型半导体，另一边形成N型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN结。 P型和N型半导体交界处载流子的扩散 因浓度差 ? 多子的扩散运动?由杂质离子形成空间电荷区