Preparation and photoluminescence properties of YbErZnO thin filmsYbErZnO薄膜的制备与光致发光特性.pdfVIP

摘 要 半导体发光材料氧化锌作为最具有潜力的新型发光材料，已经在发光二极管，压电 二极管，气体传感器，室温紫外激光器等各个光电领域得到成功应用。对氧化锌进行掺 杂可以在晶体范畴内改变氧化锌的结构，进而调节其光电性能，因此稀土掺杂氧化锌纳 米结构的制备和性能研究变得极其具有吸引力。ZnO 稳定的化学物理结构（抗氧化，耐 高温，耐潮）非常适合作为一种掺杂的基质材料。而且稀土元素特殊的壳层结构，三价 稀土离子 4f 组态之间的电子跃迁又存在特征锐谱线，成为发光材料的合适选择。所以 ZnO 薄膜材料中掺入稀土离子不仅能丰富发光的颜色，而且在光电器件中具有极其重要 的研究价值。本文的主要内容有： 首先，介绍了ZnO 和稀土相关方面的基础知识，综述了稀土掺杂ZnO 薄膜研究的 最新进展和重要的研究成果。 其次，用超声雾化热解法制备了系列的掺铒、掺镱、镱铒共掺氧化锌薄膜和纯氧化 锌薄膜样品，介绍了制备流程，优化了工艺参数。 再次，用X 射线衍射仪和扫描电子显微镜对薄膜样品进行了晶体结构和表面形貌等 方面的表征。结果表明，超声雾化热解法制备的ZnO 及稀土掺杂ZnO 薄膜主要沿（002 ） 和（101）两个方向生长。掺入Er3+和Yb3+离子后，沿（002 ）方向（c 轴）择优取向性 更为良好；ZnO 薄膜表面由大量团簇状纳米棒和晶粒结构组成，稀土Yb3+和Er3+离子的 掺入对ZnO 晶体的晶格排列产生了一定的影响。 同时分析了325 nm 波长激发下，ZnO 及稀土掺杂 ZnO 薄膜的光致发光谱。由于 Yb3+ 的敏化作用，增加了ZnO 在377 nm 波段的发射强度，并且稀土离子对晶格的改变 使得450-550 nm 范围内ZnO 晶格缺陷的发光减弱；优化了Yb 、Er 掺杂浓度比；讨论 3+ 4 4 了514 nm 波长下样品的激发谱。结果表明，由于Er 离子在 F3/2- F13/2 能级间存在着的 763 nm 的激发态吸收，使得ZnO 在760 nm 附近的激发更加强烈。 最后，对本文的研究工作进行了总结，以及对该领域的未来研究方向进行了展望。 关键词：超声雾化热解法；ZnO 薄膜；稀土离子；光致发光谱。 -I- Abstract As the most promising luminescent material,ZnO semiconductor light-emitting materials, has been successfully used in light-emitting diodes(LED),piezoelectric diode,gas sensors,room temperature ultraviolet laser,etc Doping of ZnO can adjust the photoelectric properties of ZnO,thus the study of rare-earth doped ZnO nanostructures preparation and performance become extremely attractive.ZnO with stable chemical structure (oxidation, high temperature resistant, resistant to moisture) is suit as the substrate material to doping in . Rare earth elements have special shell structure, with the 4 f con