外文文献翻译-在电路中进行晶体管漏电流的测试.docVIP

   毕业设计外文翻译 （译文） 在晶体管漏电流测试 一种能够测量电路中晶体管漏电流的仪器正在被开发。这种仪器提供了在各种大的电路中用于在该领域进行精确的漏电流测量，其操作简单，重量轻，由电池供电，便于携带。它是通过测量晶体管的漏电流ICBX，即测量在晶体管的集电极和发射极结反向偏置时的集电极电流来实现的。这种特殊的漏电流被选中是因为它几乎是晶体管的一个独立增益参数且非常接近基极漏电流ICBO。目前该仪器测量漏电流可低至1mA且集电极负载电阻可下降到500Ω。目前，该仪器可以用于准确的测量电路中晶体管的漏电流但还未进行售往市场。本文提出的结果表明，在电路中进行晶体管漏电流测量的方法给未来晶体管测试仪增加了新性能。 简介 在制造商的开发和生产线的测试中必须使用晶体管测试仪来检查各种晶体管的参数，但在现场测试中制造商通过晶体管的指示条件进行生产测试所需执行的测试数量是有限。调查显示，漏电流、β、短路和开路的测量将是最有意义的测试，测试结果可以确定一个晶体管是否损坏，恶化，或实际损坏。因此，任何一个测试仪至少都应包含这三个测量值。该检测仪能够检测电路中的晶体管以及外围电路，因为晶体管多次焊接到印刷电路板上会因热损坏导致铅破损因而需将它们从电路中切除并进行测试。 漏电流的测量是确定晶体管抗受能力的最可靠的质量测试之一。在排除直接的短路和开路后，经过长时间运行的晶体管会出现大比例的故障，这时可由过大的漏电流来反应的。准确测量晶体管漏电流，β值，和短路开路可以使外围电路无故障。另外，β值 、短路和开路口可在电路中进行相当准确的测量而不会遇到太多的问题。目前市场上制造的晶体管测试仪是可用来进行这些测量的。 然而，在电路中进行漏电流的测量并不是一件容易的任务，而目前用于进行这样测量的并没有可用的仪器。市场上缺乏的可在电路中进行测量晶体管漏电流的这一测试仪开始进行研制。如图1为晶体管的漏电流特性。 晶体管不同漏电流的定义如图1所示。这些电流中ICBO和IEBO是最基础的，所有剩余的漏电流都可以表现出是这两个电流的功能。这些基本的漏电流在电路中同时进行测量是不可能的，因为ICBO的测试是在发射极开路时进行的， 而IEBO的测试是在集电极开路时进行的。由于晶体管的发射极或集电极不能在电路中的同时在开路条件下运行，所以在电路测量中必须采取测量晶体管漏电流的其中一种。该系统选择用于测量的泄漏电流是ICBX，即其是晶体管在集电极和发射极结反向偏置时的集电流。选择了这个特殊的漏电流的原因是它在晶体管的增益参数中几乎是独立的，是一个非常接近似的ICBO，特别是晶体管会有很大的表面漏电流流过过集电结。由于漏电流ICBO、ICBX的大小通常不超过百分之五，晶体管的恶化可通过测量表面泄漏的增加来显示，ICBX漏电流的测量被认为是有效的。 用于测量漏电流ICBX的理论和实验理由，即在电路中测量会遇到的实际困难，以及用于进行这些测量的技术会在本文的其余部分中描述。一种实用的电路漏电流测试仪已经被设计和制造，并可对各种电路进行精确的漏电流测量。该仪器操作简单，重量轻，电池供电，并且便携式在现场使用。 晶体管模型 下面的数学分析为选定的测试方法提供了理论依据。当发射集和集电极结反向偏置时支配晶体管操作的基本方程是： 上述方程是假定表面漏电流可以忽略不计且内部电阻下降可不考虑。上述方程中所用的参数如下： ICBO为集电极漏电流，是在集电极结和发射极开路时施加反向电压的集电极漏电流； aN为额定值，是直流下基极正向电流比上发射极与集电极输出短路电流； ar为aN的倒数，同aN一样，但发射极和集电极互换； βn为额定的β，是基极到集电极直流电流的放大系数； βr为β的倒数，同βr一样，但发射极和集电极互换。 从中公式（1）可看出，当发射极和集电极结反向偏置，集电极电流ICBX只是晶体管的电流增益的百分之几的ICBO范围内。例如，如果一个晶体管正常β是十那β的倒数将是十分之一，ICBO和ICBX之间的误差仅为8.3%。一个典型的晶体管将有一个正常的β值100，反向β为3。这种情况下的误差是2.9%。对称晶体管正常的β值和反向β值几乎是相等的这使得集电极电流表现为晶体管实际集电极漏电流ICBO的一半。如果在电路测量中遇到这种类型的晶体管，则这一事实应加以考虑。 值得注意的是，漏电流ICBO和IEBO分别是集电极和发射极结反向偏置时固有的成分。式（1）的推导忽略了表面泄漏的影响。这两个反向漏电流是类似于理想P-N结二极管饱和电流。有关的理想二极管的电流和电压的方程如下： 式（2）的情况出现在图2中。如果这条曲线与实际半导体二极管的曲线比较，则会发现反向电流略多于由方程预测的，而且它不是一个常数，而是电压击穿区域以外的线性函数。饱和电流中添加的反向电流可以解释为是该结欧姆