AIGaInP系LED工艺进展分析.docVIP

AIGaInP系LED工艺进展分析 　　摘 要：从外延工艺和芯片工艺上，对AIGaInP系LED在提升外量子效率的各种方法做了分析，探讨了各种工艺目前存在的优势和缺点。以期为GaAs基AIGaInP LED的发展提供理论依据。 　　关键词：AIGaInP LED；GaAs；外延工艺；芯片工艺 　　中图分类号：TN383 文献标识码：A 　　0.引言 　　LED从投入市场到现在已有40多年的历史。20世纪80年代，出现了液相淀积LED的制作技术，使LED的性能得到了一次提升。90年代，采用金属有机化学气相沉积系统（MOCVD），使LED的性能得到了飞跃。AlGaInP系LED的技术改进主要围绕着如何提升LED的发光效率进行研究。目前影响AlGaInPLED性能的主要原因是外量子效率低，人们已研究各种方法提升AlGaInP发光二极管的外量子效率，例如DBR结构、倒装结构、表面粗化、倒金字塔、ITO电流扩展结构等。这些芯片工艺提升外量子效率方法也在企业生产中取得较大进展，但也存在各种瓶颈，工艺实现起来存在困难。本文针对这些方法进行分析，为后续AIGaInP系LED的工艺发展提供理论依据。 　　1. AIGaInP LED外延工艺分析 　　1.1 能带结构分析。（AlxGa1-x）1-yInyP的材料里，通过对In的摩尔组分y进行调节，能使与GaAs的衬底进行较好匹配。当y=0.5，（AlxGa1-x）1-yInyP和GaAs的衬底能够进行更好的晶格匹配。目前商业中采用的红光的LED多是采用在GaAs衬底上使用MOCVD生长（AlxGa1-x）0.5In0.5P作为有源层。有源区（AlxGa1-x）0.5In0.5P的直接带隙变化范围从1.9eV（x=0）到2.23eV（x=0.543），对应的发射波长从650nm到550nm，也可以制备出黄绿光到红光波段的LED。MOCVD技术应用到AIGaInP LED的生产中是LED制作技术发展的一大进步，使LED的性能得到了很好的提升。目前在各个企业里，制备黄绿光到红光波段的LED，有源区一般采用（AlxGa1-x）0.5In0.5P材料，得到良好的效果。 　　1.2 AIGaInP LED的外延层结构分析。传统的GaAsP LED的外延层结构相对比较简单，其功率和各方面性能都比较低。AIGaInP LED在外延层结构设计上更加复杂，同时较为复杂的结构层设计也为AIGaInP LED带来了更好的性能。目前常见的AIGaInP LED外延层结构一般包括有衬底、分布布拉格反射层（DBR反射层）、NP限制层、电流扩展层等。 　　衬底采用GaAs衬底，其中GaAs衬底的选择至关重要，良好的衬底是决定能否外延出高质量的前提条件，目前一般选择衬底掺杂浓度介于（0.5-5）×1018cm-3，位错密度EDP5000的衬底。另外衬底质量影响外延层的表面，不合格衬底在外延后，表面出现红斑和白斑现象，这些外延片制成的芯片，质量上存在问题，直接影响外延良率。因此，良好的衬底选择是制备高质量LED的重要条件。 　　分布布拉格反射层（DBR）结构设计主要是通过在窗口层以及活性层与衬底之间增加两种材料，这两种材料的折射率不同，这种设计被称为分布布拉格结构设计。布拉格反射层一般是采用AlAs/AlGaAs，将其设置在LED的衬底与有源层之间，然后可以实现光的反射。通过研究表明，采用布拉格反射层结构设计可以明显提升光线射出率。布拉格反射层结构可以通过MOCVD在外延中生长，而无需其他的加工步骤，因此这种设计的成本较低，而且使用方便。同时由于这种设计提出的历史较为久远，因此技术相对比较成熟。国内对于这种技术的应用相对比较广泛，因此在商业生产当中应用也很普遍。但是这种设计对于光的反射要求较高，一般只对特定角度的光进行反射，例如垂直角度与小角度的光线，因此这种设计对于大角度的光反射效果较差，仍然会丧失许多光能。这需要进一步地对DBR的结构进行研发，对后续提升外量子效率是个重要方向。 　　电流扩展层目的是为了达到更高的电流注入。具有高面电导和高透明的厚GaP电流扩展窗口层，可以使电流均匀流过结，以克服p型（AlxGa1-x）0.5In0.5P面电阻高导致的从电极注入的电流主要集中在电极下面流过结，发光效率低的缺点。对于GaP的厚度，一般工艺上要求越厚，电流扩展效果越好，但是在一些芯片工艺提升亮度的要求下，并非GaP厚度要求越高越好，这需要进一步配合芯片制程来进行研发外延的GaP厚度。 　　2. AIGaInP LED芯片工艺分析 　　2.1 倒装结构设计。一般来说，为了降低光线在GaAs衬底上的吸收流失，可以采用倒装结构，芯片工艺主要是将吸收光的GaAs衬底剥离，然后把外延层重新键合在无吸收的Si衬底上。当