基于二次电子发射的离子束剖面测量.pdfVIP

第25卷第8期 强 激 光 与 粒 子 束 V01．25，NO．8 ANDPARTICI。EBEAMS 2013年8月 HIGHPOWERI。ASER Aug．，2013 文章编号： 1001—4322(2013)08—2121-04 基于二次电子发射的离子束剖面测量。 2， 张 王小胡h 杨 振1， 章林文1， 龙继东1， 魏 涛1， 杨国君1， 卓1 (1．中国工程物理研究院流体物理研究所，四川绵阳621900； 2．西南科技大学核废物与环境安全国防重点学科实验室，四Jll绵阳62lol0) 摘 要： 介绍了利用二次电子发射测量束流强度分布的基本原理。针对能量为几十keV的低能离子 束，制作了一个基于印刷线路板工艺的离子束剖面测量系统模型。模型采用宽度1．8mm的金属条作为收集 电极，相邻两条之间的间距为2mm。利用电子回旋共振源对束流剖面测量系统进行了性能测试，考察了网栅 电压对信号收集的影响以及系统的线性响应和成像特性。结果表明，探测器输出信号与束流强度之间具有较 好的线性关系，系统能得到离子束的一维横向强度分布，位置分辨率2mm。 关键词： 二次电子发射； 离子束； 剖面测量； 印刷线路板工艺 中图分类号： TI。506 文献标志码： A doi：10．3788／HPI。P2121 束流剖面测量是加速器束流诊断的重要组成部分，对束流品质控制具有重要意义。目前离子束剖面测量 keV以下的低能 以得到束流的二维强度分布信息。SEM—grid的高压电极通常为几／xm厚的钛膜。能量100 的拦截型束流剖面测量系统。系统采用具有一定离子透过率的金属网栅作为高压电极，因此可以应用于低能 离子束的剖面测量。本次实验主要为原理验证，因此收集电极为相互平行的金属条，此种结构可以得到束流的 一维强度分布。 l 基于二次电子发射的束流剖面测量原理 二次电子发射是一种表面现象，当带电粒子射人或穿出金属表面时，将在金属表面上打出一定数目的次级 电子…。金属ee-次电子的发射系数y可由式(1)所示的Sternglass∽公式描述 Y一(0．002cm／MeV)—d-E (1) dT 式中：dE／dx是入射离子单位路径的能量损失，即介质对入 vertical horizontal 射粒子的阻止本领。根据Sternglass公式，材料的二次电子 发射系数主要由入射带电粒子在材料中的能量损失率决定， e ．7 所以能量相等的同种入射粒子在同一种材料上的二次电子 ＼ j．≯ ≮ beam 发射系数是一样的。因此，当大量单能带电粒子入射时，金 || P e／■ 属表面发射出的二次电子的数目将与入射粒子流的强度成 正比。 典型的SEM—grid包括两个信号平面和三个高压平面，HV signalHV signalHV structureofSEM 如图1所示。信号平面由相互平行的细丝或金属薄膜微条 Fig．