光纤通信技术基础 陈根祥 半导体光电子器件与电光调制器001.pdfVIP

光纤通信器件与技术 第三部分 半导体光电子器件与电光调制器 Semiconductor Optoelectronic Devices and Electro-Optic Modulators 陈根祥 北京交通大学全光网与现代通信网教育部重点实验室 2011/11/17 内 容 一．半导体物理基础 二．半导体注入型器件（LD, LED, SOA ） 三．半导体光电检测技术（PIN, APD, SNR ） 四．晶体光学与电光调制技术 一、半导体电子论基础 半导体中的能带 载流子的费米统计分布 半导体内的光学过程 PN结及其光电子学特性 半导体内的自发复合过程 半导体内的载流子输运动力学 导体和非导体的能带 半导体中的能带与杂质 直接带隙与间接带隙材料 Einstein关系：p = ħk E = ħω h h hkβ k − (k =k ) E hEω E − 带间跃迁的选择定则： c v c v c v g 1.24 [λmμ ] 辐射波长与带隙的关系： [eVE g ] 主要的半导体材料 Ⅳ族半导体材料：包括硅（Si ），锗（Ge ）等。其稳定的晶体结构为 正四面体的金刚石结构。 属于间接带隙材料，不能用来制作半导体激光器。这些材料主要用于 大规模集成电路和光电检测器的制作。 Ⅲ- Ⅴ族化合物半导体材料：二元系：砷化钾（GaAs ）、磷化铟（InP ）、 氮化钾（GaN ）等；三元系：钾铝砷（GaAlAs ）、铟钾砷（InGaAs ） 等；四元系：铟钾砷磷（InGaAsP ）、铟铝钾砷（InAlGaAs ）和铟铝钾 氮（InAlGaN ）等。其中Ⅲ- Ⅴ族氮化物稳定晶体结构为六棱柱形式的纤 锌矿结构，其余Ⅲ- Ⅴ族化合物则为面心立方形式的闪锌矿结构。 绝大多数的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料均为直接带隙材料，主要用于集 成电路和通信或照明用LED、各种波长的LD和PD的制作。 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料：包括碲化镉（GdTe ），碲化锌（ZnTe ）， 碲镉汞（HgGdTe ）三元系，锌硒碲（ZnSeTe ）三元系等。 均为直接带隙材料。主要用于可见光和远红外光电子器件的制作。 Ⅲ- Ⅴ族化合物半导体的典型能带结构 构成半导体材料的主要化学元素及其最外层价电子排布 Ⅱ族 Ⅲ族 Ⅳ族 Ⅴ族 Ⅵ族 2 2 1 2 2