第9章 磁敏式传感器打印稿1.pptVIP

1 铁心 （1）伏安特性 磁敏二极管正向偏压和通过其上电流的关系被称为磁敏二极管的伏安特性。 磁敏二极管在不同磁场强度B的作用下，伏安特性不一样。图（a）为锗磁敏二极管的伏安特性。图（b）、（c）为硅磁敏二极管的伏安特性。 3. 磁敏二极管的主要特性 （a）锗管 （b）硅管，俘获中心作用强 （c）硅管，俘获中心作用弱 （2）磁电特性 在给定条件下，磁敏二极管输出的电压变化与外加磁场的关系称为磁敏二极管的磁电特性。 磁敏二极管通常有单只使用和互补使用两种方式。它们的磁电特性如图所示。单只使用时，正向磁灵敏度大于反向，磁场强度增加时，曲线有饱和趋势；互补使用时，正、反向磁灵敏度曲线对称，且在弱磁场下有较好的线性。 （3）磁敏二极管的温度特性及其补偿 一般情况下，磁敏二极管受温度影响较大，即在一定测试条件下，磁敏二极管的输出电压变化量?U，或者在无磁场作用时，中点电压 Um 随温度变化较大。其温度特性如图所示。因此，在实际使用时，必须对其进行温度补偿。 ①互补式温度补偿电路 为了补偿单只磁敏二极管使用时，因为温度变化产生输出电压的变化，可以采用互补电路。在互补电路中选用两只性能相近的磁敏二极管，按相反磁极性组合，即将它们的磁敏面相对或背向放置，并把它们串接在电路中，就可形成互补电路。无论温度如何变化，其分压比总保持不变，输出电压 Um 随温度变化而始终保持不变，这样就达到了温度补偿的目的。 互补电路还能提高磁灵敏度。 背向联接 补偿电路 等效电路 例如，当磁敏二极管D1 在+1 kGs 磁场作用时，其等效电阻 R1 增加?R1 ，相应电压变化量为?U1＋；同时，由于磁敏二极管D2 磁极性反向安置，因而，受到-1kGs 磁场作用，等效电阻 R2 减少?R2，相应电压变化量为?U2－；。因此总的输出电压变化量为?Um= ?U1＋＋?U2－。 在同样磁场作用下，互补使用比单管使用输出电压变化量增大，即磁灵敏度提高。 ②差分式电路 差分电路不仅能很好地实现温度补偿，提高灵敏度，而且还可以弥补互补电路的不足(具有负阻现象的磁敏二极管不能用作互补电路)。如果电路不平衡，可适当调节电阻R1 和R2 。 ③全桥电路 将两个互补电路并联而成。和互补电路一样，其工作点只能选在小电流区，且不能使用有负阻特性的管子。该电路在给定的磁场下，其输出电压是差分电路的两倍。由于要选择四只性能相同的磁敏二极管，因此，给实际使用带来一些困难。 ④热敏电阻补偿电路 该电路是利用热敏电阻随温度的变化，而使Rt和D的分压系数不变，从而实现温度补偿。热敏电阻补偿电路的成本略低于上述三种温度补偿电路，因此是常被采用的一种温度补偿电路。 二、磁敏三极管 1. 磁敏三极管的结构 硅磁敏三极管和锗磁敏三极管均属双极性长基区晶体管结构。 在弱 P 型或弱 N 型本征半导体上用合金法或扩散法形成发射极、基极和集电极。其最大特点是基区较长，基区结构类似磁敏二极管，也有高复合速率的 r 区和本征 I 区。长基区分为输运基区和复合基区。 2. 磁敏三极管的工作原理 当磁敏三极管未受到磁场作用时（图c）， be间加一定的偏压后，发射结的载流子分别飞向两个基区。由于基区长度大于载流子有效扩散长度，大部分载流子通过 e-I-b形成基极电流；少数载流子输入到c极。因而形成了基极电流大于集电极电流的情况，使 当受到正向磁场( B+ )作用时（图d），洛仑兹力使载流子偏向复合基区，导致集电极电流显著下降。 当受到反向磁场( B－ )作用时（图e），载流子偏向输运基区，导致集电极电流增大。 在正、反向磁场作用下，其集电极电流出现明显变化。这样就可以利用磁敏三极管来测量弱磁场、电流、转速、位移等物理量。 3. 磁敏三极管的主要特性 （1）伏安特性 磁敏三极管的伏安特性类似普通晶体管的伏安特性曲线。图（a）为不受磁场作用时，磁敏三极管的伏安特性曲线；图（b）是磁场为?0.1T（kGs）、基极电流为3mA时的伏安特性曲线。由该图可知，磁敏三极管的电流放大倍数小于1 ，但其集电极电流有很高的磁灵敏度。 （2）磁电特性 磁敏三极管的磁电特性是在给定条件下，集电极电流的变化与外加磁场的关系，常用磁灵敏度表示，它是磁敏三极管应用的基础。 例如，国产NPN型3BCM（锗）磁敏三极管的