嵌入式系统开发_4 S3C2410主要外设功能部件.ppt

NAND FLASH CONFIGURATION (NFCONF) REGISTER NAND Flash的地址组成 正如硬盘的盘片被分为磁道，每个磁道又分为若干扇区，一块Nand flash也分为若干block，每个block分为如干page。一般而言，block、page之间的关系随着芯片的不同而不同，典型的分配是这样的： 1block = 32page 1page = 512bytes(datafield) + 16bytes(oob) NandFlash以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。按照k9f1208的组织方式可以分四类地址： Column Address、halfpage pointer、Page Address 、Block Address。 A[0:25]表示数据在64M空间中的地址。 Column Address表示数据在半页中的地址，大小范围0-255，用A[0:7]表示；halfpage pointer表示半页在整页中的位置，即在0-255空间还是在256-511空间，用A[8]表示；Page Address表示页在块中的地址，大小范围0-31，用A[13:9]表示； Block Address表示块在flash中的位置，大小范围0~4095，A[25:14] 表示。 以K9F1208为例 注意：容量倍增以后，并不是简单的地址扩展问题，A8也不是所有的Flash芯片中都不使用，K9F1G08中就完全不同。 读写示例： NAND Flash寻址方式： A[7:0]组成的column address（列地址）访问页， 配合地址指针命令来选择特定区域。在进行擦除操作时不需要列地址。 A[13:9]访问32个page，即某page在块内的相对地址。Block的地址是由A14以上的bit来表示。 以K9F1208为例： 第1 步是传递column address，就是NAND_ADDR[7:0]，不需移位即可传递到I/O[7:0]上。 第2 步就是将NAND_ADDR 右移9位，将NAND_ADDR[16:9]传到I/O[7:0]上； 第3 步将NAND_ADDR[24:17]放到I/O上； 第4步需要将NAND_ADDR[25]放到I/O上； 因此，整个地址传递过程需要4 步才能完成，即4-step addressing。 如果NAND Flash 的容量是32MB（256Mbit）以下，那么，block adress最高位只到bit24，因此寻址只需要3步。 需要注意： 对于flash的读写都是以一个page开始的，但是在读写之前必须进行flash的擦写，而擦写则是以一个block为单位的。 Nand Flash芯片每一位只能从1变为0，而不能从0变为1，所以在对其进行写入操作之前一定要将相应块擦除（擦除就是将相应块的位全部变为1）。 OOB部分的第六字节（即517字节）标志是否坏块，如果不是坏块该值为FF，否则为坏块；除第六字节外，通常至少把其前3字节存放Nand Flash硬件ECC码。 当得到一个Nand Flash地址srcaddr时候，我们可以这样分解出Column Address和Page Address： columnaddr=srcaddr%512 //column address pageaddr=srcaddr9 //page address 也可以这么认为，一个Nand Flash地址的A0~A7是它的column_addr，A9~A25是它的Page Address。 #define rNFCONF (*(volatile unsigned *)0x4e000000) //nand flash configuration #define rNFCMD (*(volatile char *)0x4e000004 //nand flash command #define rNFADDR (*(volatile char *)0x4e000008 //nand flash address #define rNFDATA (*(volatile char *)0x4e0