单相半控桥式晶闸管整流电路设计-毕业论文.doc

电力电子 课 程 设 计 单相半控桥式晶闸管整流电路设计 （带续流二极管、反电势 电阻负载） 院 别： 机械与电子工程学院 专业年级： 电气工程自动化0803 姓 名： 王羽飞 学 号： 2008011246 指导老师： 施 云 起止日期： 1月4日 - 1月9日 1.设计任务书 课程设计的性质和目的 性质：是电气信息专业的必修实践性环节。 目的：1、培养学生综合运用知识解决问题的能力与实际动手能力； 2、加深理解《电力电子技术》课程的基本理论； 3、初步掌握电力电子电路的设计方法。 二、课程设计的内容: 单相半控桥式晶闸管整流电路的设计（带续流二极管）（反电势、电阻负载） 设计条件：1、电源电压：交流100V/50Hz 2、输出功率：500W 3、移相范围30o~150o 4、反电势：E=70V 前 言 电力电子学,又称功率电子学(Power Electronics)。它主要研究各种电力电子器件，以及由这些电力电子器件所构成的各式各样的电路或装置，以完成对电能的变换和控制。它既是电子学在强电(高电压、大电流)或电工领域的一个分支，又是电工学在弱电(低电压、小电流)或电子领域的一个分支，或者说是强弱电相结合的新科学。电力电子学是横跨“电子”、“电力”和“控制”三个领域的一个新兴工程技术学科。电力网供给用户的是交流电，而需要用直流电。整流，利用具有单向导电特性的器件，把方向和大小交变的电流变换为直流电z 第二章 单相半控桥式（反电动势、电阻负载）整流电路主电路设计 2.1主电路原理图 波 形 图： 2.2变压器二次侧电压的计算 电源电压：交流100V/50Hz，输出功率：500KW，移相范围30o~150o，反电势：E=70V。设R=5Ω 2.3变压器一 、二次侧电流的计算 P=Ud2/R Ud=50v。P=Id2R, Id=10A U1/U2=220/100=11/5, N1/N2=11/5 I2=5id /6=25/3A 2.4变压器容量的计算 S=U1i1=100×25/3=833.33kv.A 2.5变压器型号的选择 N1:N2=11/5, S=833.33kv.A 第三章 电路元件的选择 3.1整流元件的选择 由于单相桥式半控反电动势、电阻负载电路主要器件是晶闸管，所以选取元件时主要考虑晶闸管的参数及其选取原则。 3.1.1晶闸管的结构 晶闸管是大功率的半导体器件，从总体结构上看，可区分为管芯及散热器两大部分，分别如图1-6及图1-7所示。 ?????????? a） 螺栓型 b）平板型 c）符号 图晶闸管管芯及电路符号表示 管芯是晶闸管的本体部分，由半导体材料构成，具有三个与外电路可以连接的电极：阳极Ａ，阴极Ｋ和门极（或称控制极）Ｇ，其电路图中符号表示如图1-6c）所示。散热器则是为了将管芯在工作时由损耗产生的热量带走而设置的冷却器。按照晶闸管管芯与散热器间的安装方式，晶闸管可分为螺栓型与平板型两种。螺栓型（图1-6a））依靠螺栓将管芯与散热器紧密连接在一起，并靠相互接触的一个面传递热量。\ a）自冷 b）风冷 c）水冷??????????????????????? 图晶闸管的散热器 晶闸管管芯的内部结构如图1-3所示，是一个四层（P1—N1—P2—N2）三端（A、K、G）的功率半导体器件。它是在N型的硅基片（N1）的两边扩散Ｐ型半导体杂质层（P1、P2），形成了两个PN结J1、J2。再在P2层内扩散Ｎ型半导体杂质层N2又形成另一个PN结J3。然后在相应位置放置钼片作电极，引出阳极A，阴极K及门极G，形成了一个四层三端的大功率电子元件。这个四层半导体器件由于 三个PN结的存在，决定了它的可控导通特性。 3.1.2晶闸管的工作原理 通过理论分析和实验验证表明： 1） 只有当晶闸管同时承受正向阳极电压和正向门极电压时晶闸管才能导通，两者不可缺一。 2） 晶闸管一旦导通后门极将失去控制作用，门极电压对管子随后的导通或关断均不起作用，故使晶闸管导通的门极电压不必是一个持续的直流电压，只要是一个具有一定宽度的正向脉冲电压即可，脉冲的宽度与晶闸管的开通特性及负载性质有关。这个脉冲常称之为触发脉冲。 3） 要使已导通的晶闸管关断，必须使阳极电流降低到某一数值之下（约几十毫安）。这可以通过增大负载电阻，降低阳极电压至接近于零或施加反向阳极电压来实现。这个能保持晶闸管导通的最小电流称为维持电流，是晶闸