超深亚微米集成电路中的互连问题--低k介质及Cu的互连集成技术.pdfVIP

第 卷第 期 半 导 体 学 报 ， 23 ll VoI .23 No . ll 年 月 ， 2002 ll CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS NoV . 2002 !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! 超深亚微米集成电路中的互连问题———低 介质 ! 与 的互连集成技术 Cu 王阳元 康晋锋 （北京大学微电子学研究所，北京 l0087l） 摘要：半导体集成电路技术的发展对互连技术提出了新的需求，互连集成技术在近期和远期发展中将面临一系列 技术和物理限制的挑战，其中 互连技术的发明是半导体集成电路技术领域中具有革命性的技术进展之一，也是 Cu 互连集成技术的解决方案之一. 在对互连集成技术中面临的技术与物理挑战的特点和可能的解决途径概括性介绍 的基础上，重点介绍和评述了低 介质和 的互连集成技术及其所面临关键的技术问题，同时还对三维集成互连 ! Cu 技术、 互连技术和光互连技术等 互连集成技术之后的可能的新一代互连集成技术和未来互连技术的发展趋 RF Cu 势给予了评述和展望. 关键词：互连集成技术；互连的限制和挑战；低 介质； 互连；三维集成互连； 互连；光互连 ! Cu RF EEACC：2570 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） TN405 .97 A 0253-4l77 2002 ll-ll2l-l4 特征尺寸的缩小将导致互连引线横截面和线间距的 1 半导体集成电路技术的发展和对互 减小，电阻、电容、电感引起的寄生效应将会严重影 连的需求 响电路的性能，包括信号传输延迟的增加和信号传 输畸变显著. 自半导体集成电路技术发明以来，集成电路产 为了解决互连引线电阻随特征尺寸缩小而显著 业一直以指数增长率迅猛发展，集成电路产业的迅 增加的问题，互连引线系统一般采用高纵横比的引 猛发展得益于半导体集成电路技术的不断更新换 线设计，即增加引线金属层厚度的方法，但由此可能 代. 集成电路技术的进步和更新换代是以所加工的 会带来互连引线间串扰的增加. 实际上，当集成电路 最小线条尺寸（称之为特征尺寸）的缩小、硅片尺寸 技术发展到深亚微米技术时代以后，互连已成为确 的增加和芯片集成度的增加为标志的. 其中特征尺 定集成电路性能、封装密度、可靠性、制造产率和成 寸的缩小最为关键，因此，集成电路技术时代以其所 本的最重要因素之一. 当集成电路进入到纳米技术 加工的特征尺寸来称谓. 器件尺寸的缩小和芯片集 时代时，互连将成为制约集成电路性能提高和成本 成度的提高，一