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中国照明电器
2010年第3期 CHINALIGHT＆LIGHTING 15
提高GaN基发光二极管外量子效率的途径
孥为军
(国家电光源质量监督检验中心(上海)、国家灯具质量监督检验中心、
上海时代之光照明电器检测有限公司，上海200233)
摘 要
外量子效率途径的最新进展，包括芯片非极性面／半极性面生长技术、分布布拉格反射层(DBR)结
构、改变LED基底几何外形来改变光在LED内部反射的路径、表面粗化处理，以及新近的光子晶体
技术和全息技术等。并对纳米压印与SU8相结合技术在提高LED外量子光效率方面进行了初步探
索。
关键词外量子效率 光
芯片非极性面／丰极性面生长技术分布布拉格反射层(DBR)结构
子晶体技术和全息技术纳米压印技术与SU8技术
oftheExternal ofGaN·--basedLEDs
Improvement QuantumEfficiency
LiWeijun
Source National
(NationalLight QualitySupervisionTestingCenter(Shanghai)，ChinaLightingFitting
QualitySupervisionTestingCenter，ShanghaiAlphaLightingEquipmentTesting 200233)
Ltd．，Shanghai
lowexternal ties
Abstract：The quantumefficiencyupthe ofLEDs．Thisarticle
development mainly
introducesrecentresearch of theexternal ofGaN·basedLEDs．The
progressincreasing quantumefficiency
of includethatmicro—surface substratesanddistributed
waysimprovementmainly roughening，micro-pattern
Braggreflector(DBR)structure．Ofcourse，recentmethods，for or
example，non—polarsemi—polarplane
and arealsodiscussed．Atthesame
growthtechnology，photoniccrystalholographytechnology time，
on
studythecombinationof andSUB isalsonotedinthis
preliminary nano—imprintlithographytechnology
paper·
Keywords：external
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