用VHF-PECVD技术研制大面积均匀硅基薄膜.pdfVIP

第28卷第11期 Ⅷ．28．No．11 卿年11月 №．．聊 薛俊明，侯国付，王凯杰，孙建，任慧志，张德坤，赵颖，耿新华 (南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室， 光电信息技术科学教育部重点赛验室．天津300∞1) 摘要：首先对电授表面vHF频段电场分布进行了详细的物理分析，认为当激发频率在vHF频段时驻波和损耗 渡对电场均匀性分布影响很大，而通过选择不同的电源馈人方式可减小其影响。采用中心馈人法，对馈线和电极 的连接方式进行了仔细研究，然后就工作压力、沉积功率、流量等工作参数对均匀性、沉积速率、材料特性的影响进 行了研究。结果表明：在本文所研究的范围内，适当提高工作气压可以提高薄膜的均匀性，而功率的变化对均匀性 影响不大；在一定范围内提高工作气压和功率都可提高沉积速率；从薄膜的质量来说，气压低时较好，而功率则应 适当选择。通过优化沉积条件，我们在普通浮法玻璃上制备出了面积为23x斟皿2，厚度不均匀性为±1．4％，最高 沉积速率达10．5A，s，光敏性最大为2．25×l妒的}si：H薄膜材料。 关键词：vⅢ：PEcⅧ；硅基薄膜；大面积均匀性；电源馈人方式 中图分类号：TM615文献标识码：A O前言 l电场均匀性的理论分析 太阳电池与平板显示的生产需要高速率沉积大 对于平行双极板ⅥⅡ．PEcvD系统，一维传输线 面积的硅基薄膜材料。为了提高沉积速率，人们试 理论可以让我们认识到不均匀性问题。但如果要研 图把平行双极板PEcvD系统的激发频率从传统的 究有一个或两个RF连接的等离子反应室，则必须至 13．56M}Iz提高到Ⅵ伍频段，但是同时带来了大面积 少有一个二维模型才能进行比较准确的描述。事实 硅基薄膜的均匀性问题。schmin指出，在平行双极 上，随着激发频率的增加，在驻波对不均匀性起主要 板ⅥⅡ一PEcvD系统中电场分布的均匀性是影响大 作用以前，主要是电磁波在极板连接处的与局域电 面积非晶硅膜均匀性的主要原因…。当电极尺寸接 流源有关的奇点对不均匀性起主要作用。这个奇点 近馈人电磁波波长的1，4时(13．56Mm时x，4是 只能用二维模型束描述，而不能由一维模型来描述。 5．53m，100Mm时“4是0．75m)，在极板上就会出现 由于没有特定的理论描述ⅥⅡ频段的电磁特性参 电压分布的不均匀…。为实现vHF．PECvD技术的 数，而等离子反应室与微波理论中的矩形波导传输 大面积均匀成膜，国外大都采用多点功率馈人法…、 相近，所以等离子反应室的电压分布描述可以借用 电极分区法”J、梯形电极法”J、阻抗相移法“o和运动 G}Iz频段的毫米结构微带器件的描述方法来进行类 衬底法”1等，但结构都过于复杂。 似描述。这时，平板电极间的电压分布满足二维霍 本文首先从理论上分析了电压(电场)分布不均 尔姆兹方程，可用格林函数方法获得解析解…。 匀的原因，然后结合我们的实验条件，采用简单的中 1．1格林函数的求解 心点馈人法，对通过馈线和电极的连接方式进行了 以边缘馈入的尺寸相等的、平行的、无损的金属 仔细研究，通过工艺的优化调试，在激发频率55Mm双极板系统为例，把它们沿电极的(x，y)方向放在 时，研制出了面积为23×24锄2，厚度不均匀性为±：=±d，2