用多层掩模去除纳米压印工艺中的残胶.pdfVIP

第21卷第6期 光学精密工程 V01．21NO．6 andPrecision 2013年6月 Optics Engineering Jun．2013 文章编号 1004—924X(2013)06—1434—06 用多层掩模去除纳米压印工艺中的残胶 陈 鑫1，赵建宜1，王智浩1，王磊3，周 宁2，刘 文1’3。 (1．华中科技大学光电子科学与工程学院武汉光电国家实验室，湖北武汉430074； 2．武汉光迅科技股份有限公司，湖北武汉430074； 3．新一代光纤通信技术和网络国家重点实验室，湖北武汉430074) 摘要：纳米压印工艺中的压印胶在固化后会发生聚合物的铰链，生成高分子聚合物，很难被一般有机溶剂清除，从而影响 器件的性能。为有效去除压印残胶，提出一种利用多层掩模去除残胶的方法。该方法首先在基片和压印胶之间沉积一 层50am的二氧化硅作为硬掩模；接着用纳米压印工艺将光栅图形转移到压印胶上，再用干法刻蚀将光栅图形转移到基 oxide 片上；最后，放人BOE(bufferedetchant)中漂洗数秒以去除残胶。文中总结了刻蚀底胶时间对光栅占空比的影 响，对比了经过多层掩模去残胶和传统去残胶的方法处理后的光栅形貌。电镜图片结果显示，采用本文方法经过漂洗的 光栅表面残胶去除干净，形貌良好，其周期约为240nm，深度约为82nm。实验表明，多层掩模去残胶的方法不仅能够有 效地去除刻蚀残胶，同时能够避免光栅形貌的损坏。 关键词：纳米压印技术；分布反馈激光器；残胶；多层掩模；软模板 中图分类号：TN305．7文献标识码：A doi：10．3788／OPE1434 resistin multi-。mask residual by Clearing nanoimprintlithography CHENXinl，ZHAO Zhi—ha01，WANGLei3，ZHOU Wenl’3。 Jian—yil，WANG Nin92，LIU (1．WuhanNational Scienceand LaboratoryforOptoelectronics，SchoolofOptoelectronicEngineering， Scienceand 430074，China； HuazhongUniversityof Technology，Wuhan 2．Accelink Co．，Ltd．，Wuhan430074，China；3．StateKeyLaboratoryfor Technologies and New Communication Networks，Wuhan430074，China) Optics Technologies *CorrPs户ondingauthor，E-mail：liuwen@wri，corn．cn usedin ofDistributed Abstract：When manufacturinggratings UV—Nano